一种背接触电池及电池组件制造技术

技术编号:42620479 阅读:40 留言:0更新日期:2024-09-06 01:25
本申请涉及一种背接触电池及电池组件,其背面包括覆盖在晶硅基底上的第一钝化层,以及设置在第一钝化层上的第一叠层结构和第二叠层结构,所述第一叠层结构包括依次层叠设置的第一掺杂层和第一电极薄膜层,所述第二叠层结构包括依次层叠设置的第二掺杂层和第二电极薄膜层,所述第一叠层结构和第二叠层结构不接触;在第一钝化层包括彼此对接的第一钝化层区域一和第一钝化层区域二,第一叠层结构设置在第一钝化层区域一,第二叠层结构设置在第一钝化层区域二。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种背接触电池及电池组件


技术介绍

1、太阳能电池是直接将光能转换成电能的器件。经过数十年的发展,目前晶硅太阳能电池在光伏电池市场上占据着绝对的优势,其具有原材料来源广泛、可靠性高、发电效率高、成本低等优势。晶硅电池目前涵盖有钝化发射极和背面电池(perc)、隧穿氧化层钝化接触电池(topcon)和异质结电池(shj)等多种种类。其中,晶硅-非晶硅异质结太阳能电池(shj)因其对称的结构、高开路电压、低工艺温度、优良的温度特性等优势,已逐步成为晶硅电池主流技术之一,受到产业界和学术界的高度关注,目前其认证的大面积电池器件效率已经达到26.3%。另外,同样低成本的topcon电池的效率也达到了25.7%。但目前几乎所有硅基太阳能电池都存在入光面有栅线遮挡,降低了电池对阳光的吸收,导致电池的短路电流损失较大的问题。因此,入光面没有电极的太阳能电池的研究显得尤为重要。

2、背接触太阳能电池(ibc)因其电极设置于电池的背面,正面无栅线,全部面积用于吸收太阳光,可将上表面造成的短路电流损失降至最低,能够解决这一问题。但在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂极性相反。

3.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,所述第一钝化层厚度为1-50nm,所述第一掺杂层和第二掺杂层的厚度分别为1-100nm,所述第一电极薄膜层和第二电极薄膜层的厚度分别为10nm-500nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的背接触电池,其特征在于,所述第一叠层结构和第二叠层结构之间的第一钝化层上还设置有第三掺杂层,且所述第三掺杂层与第一掺杂层为相同材料。

5.根据权利要求4所述的背接触电池,...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂极性相反。

3.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,所述第一钝化层厚度为1-50nm,所述第一掺杂层和第二掺杂层的厚度分别为1-100nm,所述第一电极薄膜层和第二电极薄膜层的厚度分别为10nm-500nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的背接触电池,其特征在于,所述第一叠层结构和第二叠层结构之间的第一钝化层上还设置有第三掺杂层,且所述第三掺杂层与第一掺杂层为相同材料。

5.根据权利要求4所述的背接触电池,其特征在于,所述第三掺杂层设置于所述第一钝化层区域一上,且所述第三掺杂层沿晶硅衬底厚度平行的一侧与所述第一钝化层区域一和第一钝化层区域二的对接处齐平。

6.根据权利要求5所述的背接触电池,其特征在于,所述第一钝化层区域二延伸覆盖所述第三掺杂层厚度方向上的一侧表面。

7.根据权利要求6所述的背接触电池,其特征在于,所述第三掺杂层上还覆盖有掩膜层,且所述第一钝化层区域二延伸覆盖所述掩膜层厚度方向上的一侧表面。

8.根据权利要求7所述的背接触电池,其特征在于,所述第一钝化层区域二进一步延伸覆盖至所述掩膜层上,形成第三钝化层。

9.根据权利要求8所述的背接触电池,其特征在于,所述第三掺杂层与所述第一叠层结构之间的所述第一钝化层区域一...

【专利技术属性】
技术研发人员:周生厚唐喜颜叶枫方亮徐希翔
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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