半导体器件及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了半导体器件和电子设备。半导体器件包括：第一基板，其包括像素区域和所述像素区域以外的周边区域，在所述像素区域中层叠有第一布线层和第一半导体层，并且所述周边区域设置于所述像素区域的外侧；以及第二基板，其包括第二布线层和第二半导体层，其中，第一基板和第二基板彼此层叠，使得所述第一布线层面对着所述第二布线层，并且所述第一基板和所述第二基板通过所述第一布线层和所述第二布线层彼此电气连接，其中，所述第一基板的所述像素区域包括针对每个像素设置的第一电极，并且所述第一电极电气连接到所述第一半导体层，所述第一半导体层的面对所述第一布线层的表面被绝缘膜覆盖，并且所述第一电极设置在所述绝缘膜的开口中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如用于红外传感器等的半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备。

技术介绍

1、近年来，一种在红外区域具有灵敏度的图像传感器(红外传感器)已经商业化。用于红外传感器的半导体器件具有如下的光电转换层：所述光电转换层含有诸如砷化铟镓(ingaas)等iii-v族半导体。这种光电转换层通过吸收红外光产生电荷(进行光电转换)。例如，请参考专利文献1。

2、在专利文献1中，在由磷化铟(inp)构成的生长基板上外延生长的ingaas被用作光电转换层。

3、引用列表

4、专利文献

5、专利文献1：日本未审查专利申请公开no.2014-521216。

技术实现思路

1、然而，在这种半导体器件中，生长基板的尺寸可能对制造过程产生影响。因此，期望能够在没有生长基板的尺寸的影响的情况下制造出半导体器件。

2、因此，希望提供能够在没有生长基板的尺寸的影响的情况下制造出的半导体器件、该半导体器件的制造方法、以及电子设备。

3、根据本专利技术的实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一基板的所述周边区域具有与所述第二基板接合的接合面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一基板的所述第一布线层在与所述周边区域的所述接合面为同一个的平面上接合到所述第二基板的所述第二布线层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一基板还包括埋入层，所述埋入层在所述周边区域中围绕所述第一半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一基板还包括所述埋入层中的通孔，所述通孔...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一基板的所述周边区域具有与所述第二基板接合的接合面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一基板的所述第一布线层在与所述周边区域的所述接合面为同一个的平面上接合到所述第二基板的所述第二布线层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一基板还包括埋入层，所述埋入层在所述周边区域中围绕所述第一半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤卓，藤井宣年，松本良辅，财前义史，万田周治，丸山俊介，清水秀夫，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：