【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种半导体的集成电路，特别涉及的是一种含有温度门坎 控制单元的温度感应电路。
技术介绍
随着电子产品效能不断地推陈出新，愈来愈多的功能被互相整合到各类电子用品中，如手机与相机与MP3播放器或手提电脑与还多种多媒体的整合。然 而在各项功能的整合上，为了满足不同功能的支持，愈来愈多的芯片组需要被 置入在电子用品中，同时随着芯片组如CPU的频率也不断提高还代表着更多的 热产生。由于若是电子用品的系统温度过高，不但容易造成数据的流失以及系 统的不稳定，严重的话甚至会导致芯片的烧毁。由于外接的温度感测组件不但 会增加产品的生产成本，精准度还无法确实的掌握，因此通过于IC本身添加温 度感应电路是目前电子产品最普遍使用的方法，其具有精确度高、响应速度快、 体积小、功率消耗小、软件接口控制使用方便等优点。温度感应电路一般可让使用者设定运转的温度范围，只要超过这个范围则 自动执行降温的方法或直接将IC停止运作。目前一般温度感测的主要机制为IC 温度感应器内部的电流源与模拟数字转换器，IC温度感应器的动作原理是利用度。然而目前所有的温度感应电路大多需要额外添加一个...
【技术保护点】
一种适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于：包含： 一温度感应单元，其包括：复数个ＰＭＯＳ晶体管和ＰＮＰ双极晶体管，用以连接到欲侦测电路的一输出电流端以及获取一Ｖｄｄ电压，通过电压来感应电路温度； 一温度门坎控制单元，其包括 ：至少一ＰＭＯＳ晶体管与复数个ＮＭＯＳ晶体管，用以提供所述的温度感应单元在检测到过温时，确保过温警告信号一直启动直到温度降到一定值；以及 一跨导放大器，其包括：复数个ＰＭＯＳ与ＮＭＯＳ晶体管和一非门，用以提供电压比较，使温度感应电路能 适用于低电压运作。
【技术特征摘要】
1、一种适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于包含一温度感应单元，其包括复数个PMOS晶体管和PNP双极晶体管，用以连接到欲侦测电路的一输出电流端以及获取一Vdd电压，通过电压来感应电路温度；一温度门坎控制单元，其包括至少一PMOS晶体管与复数个NMOS晶体管，用以提供所述的温度感应单元在检测到过温时，确保过温警告信号一直启动直到温度降到一定值；以及一跨导放大器，其包括复数个PMOS与NMOS晶体管和一非门，用以提供电压比较，使温度感应电路能适用于低电压运作。2、 根据权利要求1所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于 所述的温度感应单元包括 一第一PMOS晶体管、 一第二PMOS晶体管、 一第 三PMOS晶体管、 一正温度系凄丈电阻以及一 PNP双才及晶体管。3、 根据权利要求2所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于 所述的第一 PMOS晶体管栅极和漏极连接一输出电流端，而源极则是获取一 Vdd 电压；所述的第二 PMOS晶体管栅极也连接所述的输出电流端，源极也获取所述 的Vdd电压；所述的第三PMOS晶体管栅极也连接所述的输出电流端，源极也获取所述 的Vdd电压，而漏极则通过所述的正温度系数电阻4妄地;所述的PNP双极晶体管射极则连接所述的第二 PMOS晶体管的漏极而基极 和集极则双双接地，同时所述的PNP双极晶体管的射极所接收的电压为一双极 晶体管射极电压。4、 根据权利要求1所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于 所述的温度门坎控制单元包括 一第四PMOS晶体管、 一第一NMOS晶体管、 一第二NMOS晶体管以及一第三NMOS晶体管。5、 根据权利要求4所述的适用于低电压运作的温度感应电路，其特征在于 所述的第四PMOS晶体管栅极连接所述的输出电流端，源极获取所述的Vdd电 压；所述的第一 NMOS晶体管4册极和漏极接在一起，并与所述的第四PMOS晶体管的漏极搭接，而源极则是接地；所述的第二 NMOS晶体管栅极与所述的第一 NMOS晶体管的栅极相接，源 极也是接地；所述的第三NMOS晶体管漏极连接所述的PNP...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴枝德，
申请(专利权)人：震一科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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