【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体芯片制造领域，具体涉及一种采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法。
技术介绍
1、二极管是一种电子电路中常用的半导体元器件，二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。而二极管在选型的时候拥有非常多的选择性，其中最重要的几个参数之中就又正向压降和正向浪涌电流两个参数。
2、当二极管处于正向工作状态中，电流通过二极管后会产生正向压降vf。正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压，如普通硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.9～1v，大功率或快恢复的硅二极管的正向压降往往达到1～2v。很多情况下，电路瞬间接通的瞬间，会有一个瞬时通过二极管的大电流，这种电流称为浪涌电流ifsm。这类电流通常会远大于二极管持续正向工作时的电流(一般在30倍以上)。可以看出，在二极管选型时，同等工作条件下的正向压降vf越低越好，而浪涌电流ifsm则是越高越好。根据正向电压关系公式同样一款二极管产品中，其芯片内部结构中缓变结突变结包括复合中心的浓度基本相似，并且芯片实际的大小也在封装前就已经决定。因此，其成品正向压降vf和浪涌电流ifsm值的范围已经被固定。若要在范围内达到最优，即正向压降vf最低，浪涌电流ifsm最大，其决定性因素就在于芯片金属化台面尺寸的设计。
3、金属化台面，即焊接引线孔台面，让半导体与金属形成欧姆接触层，同时金属层也更利于焊接。所谓欧姆接触就是当半导体与金属接触时，多会形成势垒层，但当半导体掺杂
4、不同的产品其高浓度硼结深xj(p+)不同，其芯片的开槽深度会有差异，因此台面大小b需要调整到合适的值才能将正向压降vf和浪涌电流ifsm的参数优化到最好。但是由于湿法刻蚀的局限性，每一颗芯片的台面尺寸都略有不同，故现在只能采用一个最优的固定值来针对同一个系列的产品优化其台面尺寸，如下表1所示：
5、表1：以s110为例，产品达到最优值需要的金属化台面b的大小
6、 产品型号 xj(p+)深度(um) 金属化台面b(mil) 中低压p型tvs二极管 50+ 94mil 中低压n型tvs二极管 50+ 92mil 超快恢复二极管 90+ 90mil 高效恢复二极管 100+ 88mil 快恢复二极管 110+ 86mil 高压整流二极管 120+ 82mil
7、仅该为例的这一款s110型号，在实际生产中，便需要配置6种不同的套刻用光刻版以便产品参数达到最优值。实际面对生产时遇到几十种不同的型号规格，其需要的光刻版数量更加惊人，成本巨大。
8、因此，如果能够针对不同台面尺寸的二极管gpp芯片套刻工艺，设计一种通用可调套刻尺寸的光刻解决方案，可以极大地降低成本，并且更进一步优化器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决现有技术中传统套刻方案难以灵活调整二极管gpp芯片的台面尺寸的问题，并提供一种采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法。
2、本专利技术所采用的具体技术方案如下：
3、一种采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其用于在二极管gpp芯片生产中对完成玻璃钝化后的二极管芯片待套刻表面进行套刻，获得套刻窗口，该方法包括：
4、s1、使用负性光刻胶对二极管芯片的待套刻表面进行匀胶，且匀胶厚度需支持多重光刻；
5、s2、在匀胶后的二极管芯片基础上，将套刻版进行对版后通过多重光刻的方式进行套刻，所述套刻版中矩形的不透光掩膜窗口尺寸大于矩形的目标金属化台面尺寸；其中所述多重光刻时，以目标金属化台面的中心点为基准点，选择目标金属化台面中经过基准点的一条矩形对角线，首先将所述套刻版从基准点朝向所述矩形对角线的一个方向偏移至第一定位点，再执行第一重光刻，然后将所述套刻版从基准点朝向所述矩形对角线的另一个方向偏移至第二定位点，再执行第二重光刻，在光刻胶层上获得与目标金属化台面尺寸相同的未曝光单元尺寸；所述第一定位点和第二定位点各自与所述基准点的x方向偏移量绝对值均为所述掩膜窗口与目标金属化台面尺寸的x方向尺寸差的一半，第一定位点和第二定位点各自与所述基准点的y方向偏移量绝对值均为所述掩膜窗口与目标金属化台面尺寸的y方向尺寸差的一半；所述套刻版中沿x方向的相邻不透光掩膜窗口之间的透光区域宽度不低于所述x方向偏移量绝对值，所述套刻版中沿y方向的相邻不透光掩膜窗口之间的透光区域宽度不低于所述y方向偏移量绝对值；
6、s3、对完成套刻后的二极管芯片进行显定影，去除未曝光负性光刻胶层，用于在后续工艺中通过湿法腐蚀在二极管芯片表面获得符合目标金属化台面尺寸的窗口。
7、作为优选，对待套刻表面进行匀胶时，光刻胶的膜厚不低于10um。
8、作为优选，对待套刻表面进行匀胶时，匀胶曲线中主匀胶段的转速需低于1000r/s。
9、作为优选，匀胶曲线中主匀胶段的转速分段控制为：第一段匀胶转速为200r/2s，第二段匀胶转速为800r/8s，第三段匀胶转速为1200r/2s。
10、作为优选，所述显定影采用双槽进行槽式显定影。
11、作为优选，采用双槽进行槽式显定影时，先在两个槽中各显影6分钟，再在两个槽中各定影1分钟。
12、作为优选，所述完成玻璃钝化后的二极管芯片为已形成pn结并经本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，用于在二极管GPP芯片生产中对完成玻璃钝化后的二极管芯片待套刻表面进行套刻，获得套刻窗口，该方法包括：
2.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，对待套刻表面进行匀胶时，光刻胶的膜厚不低于10um。
3.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，对待套刻表面进行匀胶时，匀胶曲线中主匀胶段的转速需低于1000r/s。
4.如权利要求3所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，匀胶曲线中主匀胶段的转速分段控制为：第一段匀胶转速为200r/2s，第二段匀胶转速为800r/8s，第三段匀胶转速为1200r/2s。
5.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述显定影采用双槽进行槽式显定影。
6.如权利要求5所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，采用双槽进行槽式显定影时，先在两个槽中各显
7.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述完成玻璃钝化后的二极管芯片为已形成PN结并经过一次光刻、一次蚀刻及玻璃钝化保护工艺后的二极管芯片。
8.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述套刻版具有配套使用的一次光刻版，一次光刻版和套刻版上均具有方形的芯片掩膜单元；
9.如权利要求8所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述定位标记掩膜中的定位环为圆环。
10.如权利要求8所述的采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述一次光刻版中，坐标尺掩膜共分为四组，分布于一次光刻板的东南西北四个方向，每组至少包含两个相邻的坐标尺掩膜。
...【技术特征摘要】
1.一种采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，用于在二极管gpp芯片生产中对完成玻璃钝化后的二极管芯片待套刻表面进行套刻，获得套刻窗口，该方法包括：
2.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，对待套刻表面进行匀胶时，光刻胶的膜厚不低于10um。
3.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，对待套刻表面进行匀胶时，匀胶曲线中主匀胶段的转速需低于1000r/s。
4.如权利要求3所述的采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，匀胶曲线中主匀胶段的转速分段控制为：第一段匀胶转速为200r/2s，第二段匀胶转速为800r/8s，第三段匀胶转速为1200r/2s。
5.如权利要求1所述的采用负性光刻胶的二极管gpp芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，所述显定影采用双槽进行槽式显定影。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：虞旭俊，贺鸿浩，王俊，蒋杰，胡煜涛，毛建军，任亮，
申请(专利权)人：浙江赛晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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