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本发明公开了一种采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，属于半导体芯片制造领域。该方法包括：S1、使用负性光刻胶对二极管芯片的待套刻表面进行匀胶，且匀胶厚度需支持多重光刻；S2、在匀胶后的二极管芯片基础上，将套刻版进行对版后通过多...
该专利属于浙江赛晶电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江赛晶电子有限公司授权不得商用。

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