一种适用于电学器件的二维材料的转移方法技术

本申请公开一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，包括：采用聚乙烯醇薄膜拾取氮化硼，再拾取二维材料层，得聚乙烯醇薄膜‑氮化硼‑二维材料结构，翻转并转移到空白硅片上，得二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片顺序排列结构；采用聚碳酸酯薄膜拾取翻转后的二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片排列结构，得到聚碳酸酯薄膜‑二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片排列结构，放入超纯水中浸泡，除去聚乙烯醇薄膜层和硅片，得聚碳酸酯薄膜‑二维材料‑氮化硼，并定点移至目标衬底后，去除聚碳酸酯薄膜，实现二维材料在氮化硼上面，适用于电极制备。该转移方法可减少气泡、应力和污染，同时具有表面干净、均匀完整、聚合物残留少的特点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及二维材料转移，具体涉及一种适用于制备电学器件而发展的二维材料转移方法。

技术介绍

1、二维材料(two-dimensional materials,2d materials)是指在三维空间中有一维处于纳米尺度范围(1-100nm)的材料。二维材料是伴随着2004年曼彻斯特大学geim小组成功分离出单原子层的石墨烯而提出的。自石墨烯被发现以来，二维材料在科学界掀起了巨大的研究热潮，石墨烯和其他二维材料以其独特的电学、光学、机械、热和化学性能得到了广泛的研究。

2、目前，制备二维材料的主要方法有机械剥离法、液相超声剥离法、物理气相沉积法、化学气相沉积法和原子层沉积法。石墨烯研究取得成功的关键突破之一是机械剥离法的发展，俗称胶带法。这种方法操作简单，可以制备缺陷少、质量极高的样品。这种剥离法产生的薄片具有大小不同的尺寸和厚度，且随机地分布在样品基底上，而后续的研究中需要将其转移到不同衬底，因此将二维材料无损转移到特定衬底需要发展相应的转移技术。

3、转移技术的发展对进一步探索二维材料在新的物理现象中的应用，是非常必要的，例如将二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述氮化硼层为薄层六方氮化硼；所述氮化硼层的厚度为40～50nm。

3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述聚乙烯醇薄膜的厚度为0.5～1μm。

4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述聚乙烯醇薄膜的制备包括：配制质量分数为2％～3％的聚乙烯醇溶液，均匀铺在裸硅片上，烘烤至成膜。

5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于，所述烘烤温度为60～65℃，烘烤时间为4～5h。

6.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述氮化硼层为薄层六方氮化硼；所述氮化硼层的厚度为40～50nm。

3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述聚乙烯醇薄膜的厚度为0.5～1μm。

4.根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述聚乙烯醇薄膜的制备包括：配制质量分数为2％～3％的聚乙烯醇溶液，均匀铺在裸硅片上，烘烤至成膜。

5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于，所述烘烤温度为60～65℃，烘烤时间为4～5h。

6.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述聚碳酸酯薄膜厚度为0.5～1μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦廷箫，张秀，项白絮，熊启华，
申请(专利权)人：北京量子信息科学研究院，
类型：发明
国别省市：