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本申请公开一种适用于制备电学器件的二维材料转移方法，包括：采用聚乙烯醇薄膜拾取氮化硼，再拾取二维材料层，得聚乙烯醇薄膜‑氮化硼‑二维材料结构，翻转并转移到空白硅片上，得二维材料‑氮化硼‑聚乙烯醇薄膜‑硅片顺序排列结构；采用聚碳酸酯薄膜拾取翻...
该专利属于北京量子信息科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京量子信息科学研究院授权不得商用。

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