【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，具体而言，涉及一种存储阵列以及包括该存储阵列的存储器。
技术介绍
1、反熔丝存储阵列是一次性写入的存储阵列，具有较高的稳定性。反熔丝存储阵列包括多个反熔丝存储单元，反熔丝存储单元通过反熔丝晶体管存储数据。
2、在对反熔丝存储单元进行读取时，通过连接反熔丝存储单元的读写数据线检测反熔丝晶体管的栅极和漏极之间的电压，根据读写数据线的电压变化判断反熔丝晶体管的栅极和漏极是否已被击穿，从而判断反熔丝存储单元是否存储有数据。
3、读写数据线上通常连接有其他电路，这些电路影响读写数据线的电压，可能导致读取结果不准确。因此，需要改进反熔丝存储阵列的电路，以提高读取准确度。
4、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于解决读写数据线电压不稳导致的反熔丝存储阵列读取错误的问题，提高反熔丝存储阵列的可靠性。
...
【技术保护点】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述可控电流源包括：
3.如权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述可控电流源还包括：
4.如权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，所述偏置电压生成电路包括：
5.如权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述第二节点用于输出所述偏置电压，所述补偿晶体管的栅极连接所述第二节点，所述第三P型晶体管和所述补偿晶体管的特征尺寸相同。
6.如权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述偏置电压生成电路还包括缓冲单元，所述缓冲单元的输入端连...
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述可控电流源包括：
3.如权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述可控电流源还包括：
4.如权利要求3所述的存储阵列，其特征在于，所述偏置电压生成电路包括：
5.如权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述第二节点用于输出所述偏置电压，所述补偿晶体管的栅极连接所述第二节点，所述第三p型晶体管和所述补偿晶体管的特征尺寸相同。
6.如权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述偏置电压生成电路还包括缓冲单元，所述缓冲单元的输入端连接所述第二节点，所述缓冲单元用于输出所述偏置电压，所述缓冲单元的输出端连接所述补偿晶体管的栅极。
7.如权利要求6所述的存储阵列，其特征在于，所述缓冲单元包括第二放大器，所述第二放大器的同相输入端连接所述第二节点，所述第二放大器的反相输入端和输出端均连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：季汝敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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