【技术实现步骤摘要】
以夹在金属层之间的倒装管芯为特征的半导体封装 相关申请的交叉引用本非临时专利申请要求2008年5月15曰提交的美国临时专利申 请No.61/053561的优先权，并在此引入其全部内容以作参考。
技术介绍
图1示出了包封功率MOSFET管芯的常规封装的简化平面图。 图1A示出了图1的该封装沿1A-1A，线的简化截面图。具体地，常规功率MOSFET封装100包括具有顶表面并以栅极 焊盘104和源极焊盘106为特征的功率MOSFET管芯102。栅极焊 盘104被构造为通过接合线112与第一引线110电连接，源极焊盘106 被构造为通过接合线116与第二引线114电连接。管芯102的底表面以漏极焊盘108为特征。漏极焊盘通过导电性 粘接材料120与下面的管芯焊盘118电连接。这种粘接材料120还是 导热性的，以便将操作期间由MOSFET管芯产生的热量通过由管芯 焊盘的下表面形成的散热器122传输到封装之外。还可以通过与管芯 焊盘集成在一起的引线将热能传导到封装之外。虽然图1、 1A的封装是起作用的，但是仍存在一些缺点。 一个 缺点是需要进行焊盘或管芯表面和引线之间的引线接合。...
【技术保护点】
一种用于半导体器件的封装，该封装包括： 第一金属层，其被配置为与功率器件管芯热连接；以及 第二金属层，其被设置在功率器件管芯的与所述第一金属层相反的一侧上，所述第二金属层被配置为通过焊球接触与功率器件管芯表面上的焊盘热连接和电连 接，第一金属层或第二金属层包括从封装功率器件管芯、焊球接触以及第一和第二金属层的至少一部分的塑料封装体突出的集成引线。
【技术特征摘要】
US 2008-5-15 61/053,561;US 2008-8-5 12/186,3421、一种用于半导体器件的封装，该封装包括第一金属层，其被配置为与功率器件管芯热连接；以及第二金属层，其被设置在功率器件管芯的与所述第一金属层相反的一侧上，所述第二金属层被配置为通过焊球接触与功率器件管芯表面上的焊盘热连接和电连接，第一金属层或第二金属层包括从封装功率器件管芯、焊球接触以及第一和第二金属层的至少一部分的塑料封装体突出的集成引线。2、 根据权利要求l的封装，其中第一金属层还被配置为与功率 器件管芯电连接。3、 根据权利要求2的封装，其中第一金属层被配置为通过第二 焊球接触与功率器件管芯电连接。4、 根据权利要求l的封装，其中第一金属层的一部分露出塑料 封装体以形成散热器。5、 根据权利要求l的封装，其中第二金属层的一部分露出塑料 封装体以形成散热器。6、 根据权利要求l的封装，还包括第二功率器件管芯，其被配 置为与第二金属层的一部分电连接。7、 根据权利要求6的封装，其中第二金属层的同一部分被配置 为与第一功率器件管芯和第二功率器件管芯电连接。8、 根据权利要求7的封装，其中第二金属层的所述同一部分与 第一金属层垂直电连接。9、 根据权利要求7的封装，其中第一功率器件管芯是MOSFET 且第二金属层的所述同一部分被配置为与第一功率器件管芯的栅极 电连接。10、 根据权利要求6的封装，其中第二金属层被配置为在固定位 置处容纳焊球接触，并根据第一功率器件管芯的大小或形状在不同位 置处容纳到第一功率器件管芯的其他焊球接触。11、 根据权利要求6的封装，还包括第三功率器件管芯，其设置 在第二管芯之上或之下并具有通过焊球与第二功率器件管芯的焊盘 电连接的焊盘。12、 根据权利要求1的封装，其中功率器件管芯包括MOSFET 管芯，以及第二金属层包括被配置为与MOSFET管芯表面上的栅极 焊盘电连接的第一部分和被配置为与MOSFET管芯表面上的源极焊 盘电连接的第二部分。13、 根据权利要求12的封装，其中第一金属层被配置为与 MOSFET管芯的第二表面上的漏极热连接且电连接。14、 根据权利要求12的封装，其中引线与第二金属层集成在一起。15、 根据权利要求1的封装，其中功率器件管芯包括集成电路 (IC)管芯，以及第二金属层包括被配置为与所述IC管芯表面上的相应焊盘电连接的多个部分。16、 根据权利要求15的封装，其中第一金属层被配置为与所述 IC管芯的第二表面电连接。17、 根据权利要求1的封装，其中第二金属层的一部分限定了小孔。18、 一种用于半导体器件的封装，该封装包括 第一金属层，其被配置为与第一功率器件管芯的第一侧至少热连接；第二功率器件管芯，其位于第一功率器件管芯之上或之下，并通 过焊球接触与第一功率器件管芯的第二侧电接触；以及第二金属层，其设置在第二功率器件管芯的与第 一功率器件管芯 相...
【专利技术属性】
技术研发人员：AC特苏，M艾斯拉米，
申请(专利权)人：捷敏服务公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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