【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片处理设备，尤其涉及具有改善膜均匀性能力的设备。
技术介绍
1、在膜沉积设备中，反应室中的加热器用于将晶片加热到反应温度，并在整个过程中保持温度恒定。这种温度均匀性是晶片处理结果的关键参数之一。
2、传统上，加热器将具有多个加热和/或冷却区域，以保持晶片的温度图均匀。但是这种方法实施起来非常昂贵且复杂。
3、通常，用于处理晶片的加热气体通过泵送端口排出，因此靠近泵送端口的晶片部分比晶片的其他部分受热更多。
4、因此，本公开提出了一种通过控制温度均匀性来改善晶片均匀性的设备。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下本公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、根据一实施例，可以提供一种晶片处理设备，包括：晶片支撑件，其设置有用于支撑和加热晶片的加热器；用于封闭和处理晶片的室；用...
【技术保护点】
1.一种晶片处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其中，
3.根据权利要求1所述的晶片处理设备，还包括：
4.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
5.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
6.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
7.根据权利要求6所述的晶片处理设备，其中，
8.一种晶片处理设备，包括：
9.根据权利要求8所述的晶片处理设备，还包括：
10.根据权利要求9所述的晶片处理设备，其中，
11.根据权利要求9...
【技术特征摘要】
1.一种晶片处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其中，
3.根据权利要求1所述的晶片处理设备，还包括：
4.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
5.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
6.根据权利要求3所述的晶片处理设备，其中，
7.根据权利要求6所述的晶片处理设备，其中，
8.一种晶片处理设备，包括：
9.根据权利要求8所述的晶片处理设备，还包括：
10.根据权利要求9所述的晶片处理设备，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·郑，辻直人，B·P·朴，全然孮，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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