【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造的，尤其涉及一种半导体器件及其制程方法。
技术介绍
1、后栅（gate-last）工艺能够制备出质量更高的金属栅结构，有效抑制漏电流。通过后栅工艺制作的金属栅结构在其金属栅极与衬底之间形成的电容性能优越。然而，当被用作电容时，金属栅极通常需要较大的表面积，这增加了金属栅结构的占地面积和制备成本。
2、因此，如何有效降低金属栅结构的占用面积，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请主要解决的技术问题是提供一种结构新颖的半导体器件及其制程方法，以解决现有技术中金属栅结构用作电容时占用面积过大的问题。
2、为实现上述技术目的，本申请一方面提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底和多个金属栅结构。多个金属栅结构分别设置在衬底上且每个金属栅结构分别包括金属栅极。同一行相邻的金属栅结构的金属栅极作为一对相对极板构成第一电容。
3、为实现上述技术目的，本申请另一方面提供一种半导体器件的制程方法。该制程方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚栅极结构或者定义出虚栅极区域；移除虚栅极结构或者虚栅极区域中的虚栅以形成相应的容置腔；以及在容置腔中形成金属栅结构。金属栅结构包括金属栅极。同一行相邻的金属栅结构的金属栅极作为一对相对极板构成第一电容。
4、在本申请的技术方案中，半导体器件包括衬底和多个金属栅结构。多个金属栅结构分别设置在衬底上且每个金属栅结构分别包括金属栅极。通过将同一行相邻的金属栅结构的金属栅极作为一对相对极板构成第一电
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
8.一种半导体器件的制程方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制程方法，其特征在于，
10.根据权利要求8或9所述的制程方法，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：王敏，石博，耿武千，薛广杰，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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