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本申请涉及一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件包括：衬底和多个金属栅结构。多个金属栅结构分别设置在衬底上且每个金属栅结构分别包括金属栅极。同一行相邻的金属栅结构的金属栅极作为一对相对极板构成第一电容。...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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