【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种晶硅叠层太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
1、异质结太阳能电池以其尺寸小巧、灵活性高、低温效应好、高效转换、快速响应和宽波长响应等特点，在太阳能领域展现出显著优势。而钙钛矿叠层太阳能电池则通过其高效性、灵活性和可调性，特别是通过宽带隙和窄带隙钙钛矿子电池的叠加，实现太阳光谱的高效利用。两者都是太阳能技术发展的重要方向，旨在提高光电转换效率并降低生产成本，以满足日益增长的清洁能源需求。
2、叠层太阳能电池是一种高效的光伏技术，通过结合多层具有不同能带结构的吸收层，实现对太阳光谱的全面吸收，从而显著提升能量转换效率，该技术采用不同的半导体材料，通过精确的沉积技术和工艺控制，实现高效的光电转化。叠层太阳能电池不仅具备高效率和低成本的优势，还具有出色的灵活性和环境适应性，适用于家庭用电、航天科技、交通运输等多个领域。随着技术的不断进步，叠层太阳能电池有望为可再生能源领域的发展提供重要支持。
3、目前叠层太阳能电池在光吸收方面面临多项技术挑战，首要问题是确保各层材料的光谱响应与太阳光谱分布相匹配，以最大化光吸收效率；其次，材料的选择和能带结构的设计对光吸收至关重要，需要寻找具有更高光吸收效率和稳定性的新材料。此外，叠层太阳能电池中不同材料层之间的界面设计也是关键，优化界面结构、减少界面缺陷和提高界面接触质量是提高光吸收效率的必要步骤。同时，应用各种技术减少光在电池表面的反射损失也是提高光吸收效率的有效方法。最后，减少光热损失，即降低高能光子带来的额外热量，也是提高叠层太阳能电
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种晶硅叠层太阳能电池，其能够改善叠层太阳能电池之间的电连接，有利于载流子的收集，并且能够减少界面的光损失。本申请的目的是通过以下技术方案实现，晶硅叠层太阳能电池，包括：晶硅异质结电池层和钙钛矿电池层，在所述晶硅异质结电池层和所述钙钛矿电池层之间包括过渡连接层；
2、所述过渡连接层从所述晶硅异质结电池层向所述钙钛矿电池层的方向上，依次包括第一导电层、中间绝缘层及第二导电层；
3、所述第一导电层在远离所述晶硅异质结电池层的一侧具有凹凸结构，所述中间绝缘层填充在所述凹凸结构凹槽内，且至少部分凸块的上表面凸出所述中间绝缘层远离所述晶硅异质结电池层的表面；
4、所述第二导电层覆盖凸出的凸块以及所述中间绝缘层远离所述晶硅异质结电池层的表面，所述第二导电层与凸出的凸块电连接；
5、其中，所述第一导电层作为所述晶硅异质结电池层的顶部透明氧化物导电层，所述第二导电层作为所述钙钛矿电池层的底部透明氧化物导电层。
6、在其中一个实施例中，所述第一导电层中的凹凸结构具有不同尺寸的第一凸块和第二凸块以及不同尺寸的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凸块的尺寸大于所述第二凸块的尺寸，所述中间绝缘层完全覆盖所述第二凸块。
7、在其中一个实施例中，所述第二导电层中具有所述钙钛矿电池层的p1划线，所述第一凹槽为长条形且位置对应p1划线的位置，所述第一凹槽的宽度大于所述p1划线的宽度。
8、在其中一个实施例中，所述中间绝缘层通过液态涂布方式形成。
9、在其中一个实施例中，所述第一导电层、所述中间绝缘层及所述第二导电层的折射率依次减小。
10、在其中一个实施例中，所述晶硅异质结电池层从下至上一次包括p型掺杂非晶硅层、第一本征非晶硅层、n型硅基底、第二本征非晶硅层及n型掺杂非晶硅层。
11、在其中一个实施例中，所述第一导电层内包括金属栅线。
12、本申请还进一步提供了一种晶硅叠层太阳能电池制作方法，包括：
13、在晶硅异质结太阳能电池片上形成第一导电层，对所述第一导电层进行刻蚀形成凹凸结构；
14、涂布绝缘胶层形成中间绝缘层，且使所述中间绝缘层填充在所述凹凸结构凹槽内，且至少部分凸块的上表面凸出所述中间绝缘层远离所述晶硅异质结电池层的表面；
15、在形成了中间绝缘层的结构上形成第二导电层，在所述导电层上形成钙钛矿电池层结构。
16、在其中一个实施例中，所述晶硅异质结太阳能电池片为印刷有正面细栅线的电池片。
17、在其中一个实施例中，在形成第一导电层之前，通过激光刻蚀方法去除部分厚度的细栅线。
18、与现有技术相比，本申请提出了一种新的晶硅叠层太阳能电池及其制作方法，通过引入过渡连接层来改善叠层太阳能电池之间的电连接性能，增强载流子的收集效率，并显著减少界面的光损失，过渡连接层由第一导电层、中间绝缘层及第二导电层构成，其中第一导电层具有独特的凹凸结构，通过中间绝缘层填充凹槽，并保留凸块与第二导电层的电连接，优化电连接，还通过光线的折射和散射降低了界面光损失。凹凸结构采用不同尺寸的凸块和凹槽，以及通过液态涂布方式形成的中间绝缘层，进一步增强电池的光电转换效率和性能稳定性。此外，晶硅异质结电池层的多层结构以及第一导电层内的金属栅线设计，能进一步提升了电流收集效率和电池的整体性能。
19、制作方法上，通过先在晶硅异质结太阳能电池片上形成第一导电层并进行刻蚀，再涂布绝缘胶层形成中间绝缘层，最后形成第二导电层和钙钛矿电池层结构，实现了高效且精确的晶硅叠层太阳能电池制作。本申请提出的晶硅叠层太阳能电池及其制作方法在改善电连接、提高载流子收集效率和减少界面光损失等方面取得了显著的技术效果。
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1.一种晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅异质结电池层和钙钛矿电池层，在所述晶硅异质结电池层和所述钙钛矿电池层之间包括过渡连接层；
2.根据权利要求1所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层中的凹凸结构具有不同尺寸的第一凸块和第二凸块以及不同尺寸的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凸块的尺寸大于所述第二凸块的尺寸，所述中间绝缘层完全覆盖所述第二凸块。
3.根据权利要求2所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层中具有所述钙钛矿电池层的P1划线，所述第一凹槽为长条形且位置对应P1划线的位置，所述第一凹槽的宽度大于所述P1划线的宽度。
4.根据权利要求2所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述中间绝缘层通过液态涂布方式形成。
5.根据权利要求1所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层、所述中间绝缘层及所述第二导电层的折射率依次减小。
6.根据权利要求1所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述晶硅异质结电池层从下至上一次包括p型掺杂非晶硅层、第一本征非晶硅层、n型硅基底、第二本征非晶硅层
7.根据权利要求1所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层内包括金属栅线。
8.一种晶硅叠层太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的晶硅叠层太阳能电池制作方法，其特征在于，所述晶硅异质结太阳能电池片为印刷有正面细栅线的电池片。
10.根据权利要求9所述的晶硅叠层太阳能电池制作方法，其特征在于，在形成第一导电层之前，通过激光刻蚀方法去除部分厚度的细栅线。
...【技术特征摘要】
1.一种晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅异质结电池层和钙钛矿电池层，在所述晶硅异质结电池层和所述钙钛矿电池层之间包括过渡连接层；
2.根据权利要求1所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层中的凹凸结构具有不同尺寸的第一凸块和第二凸块以及不同尺寸的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凸块的尺寸大于所述第二凸块的尺寸，所述中间绝缘层完全覆盖所述第二凸块。
3.根据权利要求2所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层中具有所述钙钛矿电池层的p1划线，所述第一凹槽为长条形且位置对应p1划线的位置，所述第一凹槽的宽度大于所述p1划线的宽度。
4.根据权利要求2所述的晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述中间绝缘层通过液态涂布方式形成。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪强，周海龙，崔昊亮，张俊巍，席曦，刘桂林，邵剑波，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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