【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
技术介绍
1、随着半导体存储器的集成度提高，半导体器件的集成密度增加，半导体器件的特征尺寸减小，接触电阻增大，影响半导体结构的电性能；而且，相邻半导体器件的间距减小，相邻的半导体器件之间的耦合效应增加，可能造成半导体存储器的信号延迟，降低半导体存储器的响应速度，严重影响半导体存储器的性能以及可靠性。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：
3、提供衬底；
4、形成多条位线结构，所述位线结构沿第一方向在所述衬底上延伸；
5、在所述位线结构之间形成接触插塞，所述接触插塞和所述衬底接触连接，所述接触插塞的顶面为向靠近所述衬底的方向凹陷的凹面。
6、可选地，所述半导体结构的制作方法还包括：
7、形成金属层，位于所述接触插塞和...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述位线结构之间形成接触插塞，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述接触层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述采用刻蚀气体刻蚀所述接触层，形成所述凹面，以及所述形成保护层，包括：
6.根据权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述位线结构之间形成接触插塞，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述接触层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述采用刻蚀气体刻蚀所述接触层，形成所述凹面，以及所述形成保护层，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一气体包括溴化氢气体，所述第一流量为180sccm-220sccm；
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括：
8.根据权利要求4-7中任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述凹面之后，还包括：去除所述保护层，暴露出所述凹面。
9.根据权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：何家存，李昆伦，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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