【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种磁存储器及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术和存储技术不断发展，磁存储器(magnetic random accessmemory，简称mram)因其具有较高的存储密度以及较低的功耗，成为下一代存储器技术的主要候选者之一。磁存储器包括磁隧道结(magnetic tunnel junction，简称mtj)，磁隧道结包括两个铁磁层夹着一个势垒层。两个铁磁层中的一个铁磁层磁化方向不变，被称为固定层。另一个铁磁层的磁化方向可以被外界激励改变，被称为自由层。当自由层的磁化方向与固定层平行或反平行时，磁隧道结分别处于低电阻态或高电阻态，这两种阻态分别代表二进制数据“0”和“1”。
2、自旋轨道矩磁存储器(spin-orbit torque mram，简称sot-mram)是一种利用电流翻转磁隧道结的自由层而实现数据存储的存储设备，具有非易失性、高速读写(<1ns)、低功耗数据写入(<～0.1pj/bit)和高耐久性等优点，应用前景广阔。自旋轨道矩磁存储器还包括第一电极层和第二电极层，第...
【技术保护点】
1.一种磁存储器的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一电极层暴露的侧面进行氧化处理或者刻蚀处理，以减少所述第一电极层的可电性导通区域的宽度，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧氛围包括氧等离子体氛围、臭氧或者一氧化二氮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一电极层暴露的侧面进行氧化处理或者刻蚀处理，以减少所述第一电极层的可电性导通区域的宽度，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀液包括碱性去...
【技术特征摘要】
1.一种磁存储器的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一电极层暴露的侧面进行氧化处理或者刻蚀处理，以减少所述第一电极层的可电性导通区域的宽度，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧氛围包括氧等离子体氛围、臭氧或者一氧化二氮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一电极层暴露的侧面进行氧化处理或者刻蚀处理，以减少所述第一电极层的可电性导通区域的宽度，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀液包括碱性去胶液，所述刻蚀气体包括四氟化钛、六氟化硫、三氟甲烷或者八氟环丁烷中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极层可电性导通区域的宽度大于所述磁隧道结的宽度。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一电极层暴露的侧面进行氧化处理或刻蚀处理后，还包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的制作方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李云鹏，李晓云，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：青岛海存微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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