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本申请提供一种磁存储器及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决降低阈值电流时难以保证磁隧道结的性能的技术问题。该磁存储器的制作方法包括：形成第一电极层、磁隧道结和第一介质层，磁隧道结位于第一电极层上，第一介质层覆盖磁隧道结，且至少暴露第一...
该专利属于青岛海存微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛海存微电子有限公司授权不得商用。

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