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本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；形成多条位线结构，位线结构沿第一方向在衬底上延伸；在位线结构之间形成接触插塞，接触插塞和衬底接触连接，接触插塞的顶面为向靠近衬底的方向...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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