一种制备聚合物光波导的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备聚合物光波导的方法，首先在Ｓｉ衬底上旋涂折射率为１．４～１．６聚合物材料作为下包层，或者生长５～８μｍ的ＳｉＯ↓［２］作为下包层；再采用专用直写装置将折射率大于下包层的聚合物材料直写在下包层上，然后加热使其发生交联反应固化形成芯层；最后采用空气为上包层，或以折射率低于芯层的材料在芯层上旋涂形成上包层。本发明专利技术方法工艺简单，制作过程简单方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件的制造领域，具体涉及一种制备聚合物光波导 的方法。
技术介绍
平板与条形光波导是光学系统小型化、集成化需求下的产物。每年都 有大量有关波导材料、器件原理与结构设计、工艺方法与测试技术以及系 统应用等方面的新成果研究报道，寻求低损耗以及用于单片集成的波导材 料和相应的制造工艺一直为人们所关心。传统的Si02平面波导制备技术具有损耗低、稳定性好的优点， 一直作为制备光波导的主流材料之一。但是，由于制备过程中高温工艺引起的材料双折射，使得Si02基器件通常具有大的偏振依赖性。同时，Si02的热光系数较小，无法制作数字热光开关，更不能制作电光调制器件等。新型聚合物材料是目前平面波导技术研究和发展的一个方向。与Si02相比，聚合物材料通常具有较大的热光系数和电光系数，可以制作低串扰、低偏振依赖性、 带宽大的数字光开关等。与传统的无机光波导材料相比，有机聚合物光波导材料具有较高的电 光耦合系数、较低的介电常数、较短的响应时间和较小的热损耗等特点。 而且，用聚合物材料来制作光波导，加工工艺简单，无须高温加热处理， 只要通过匀胶、光刻等工艺即可制得复杂结构的光电集成器件，且所制备 的器件轻巧、机械性能好，适用于制作大型光学器件和挠性器件。聚酰亚 胺(PI)是目前电子材料中最有发展前途的有机高分子材料之一 (见含氟 聚酰亚胺高分子光波导工艺的研究，梁东波，陈抱雪，袁一方上海理工大学学报Vo125 No3 2003 )，其优异的综合性能可满足微电子工业对材料 的苛刻要求，因此受到工业界与科技界的广泛重视。在聚合物光波导的制作工艺方面，传统的聚合物光波导制备工艺是先 在干净的硅片上旋涂一层聚合物薄膜，高温处理使薄膜固化，然后采用磁 控溅射技术在制备好的聚合物薄膜上沉积一层金属膜。所需的微图形通过 传统的光刻技术转移到金属膜上，具体的光刻工艺包括前处理、匀胶、前 烘、对准、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等众多步骤。光刻完毕后就进行ICP(感应耦合等离子体)刻蚀。在ICP刻蚀中受光刻胶保护留下的金属微图形膜被用作掩膜层，保护其下的聚合物层免受等离子体的轰击。未被保 护的聚合物在等离子体的轰击下去掉，形成所需要的聚合物微结构层(同时注意控制ICP刻蚀时间，以免等离子体轰击破坏下包层)，再采用腐蚀剂将金属微图形膜腐蚀掉，剩下的具有微图形结构的聚合物层即成为波导材 料的芯层。最后在制作好的波导芯层上旋涂聚合物上包层，加热处理使上 包层固化，就形成了光波导层。上述传统的光波导制备技术工艺稳定，所制备的光波导层质量高，在大规模生产中具有较大的优势。不足之处在于所需要的装备昂贵、制造 工序多、贵重材料浪费多、环境污染大、柔性化程度低、制作周期长和成 本高等。特别是对于小批量生产而言，上述过程显然导致制造成本的大幅 度上升。为了弥补现有传统光波导制造技术的不足，1990年以来，人们开发了 各种直写技术(Direct Writing),如微细笔直写、金刚石刀具直写、激光直写、 激光微细熔覆直写等。由于直写技术一般具有CAD/CAM功能，无需掩膜就 可实现柔性化制造，且加工精度高，速度快，无污染，成本低。并且，直 写技术能够使得设计人员足不出户就可以在数小时内将软件设计图形加工 成实际的产品，满足小批量、多品种的电子产品制造要求，因此在微机械、 微器件与生物芯片的制造、材料原位合成等领域逐渐实现了工业化应用。在上述直写技术中，具有代表性的技术是微细笔直写电子元器件技术。 它主要是采用特殊设计的微细笔，利用工作台的CAD/CAM功能，直接将电 子浆料置放于基板表面的指定位置，形成线路板或者功能元器件的过禾呈。 关于Micropen直写布线的具体设计方法详见美国专利Carl E， Drumheller. Inking System for Producing Circuit Patterns. US Patent4485387, 1984.4
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，该方法工艺简单， 制作过程简单方便。本专利技术提供的，其步骤包括(1) 在Si衬底上旋涂厚度为5 8 u m的聚合物材料作为下包层，或者在Si衬底上生长一层厚度为5 8 u m的Si02作为下包层，聚合物材料的折射率为1.4 1.6;(2) 采用专用直写装置根据所设计的芯层图案按照轨迹将另一种聚合 物材料直写在下包层上；(3) 在真空条件下，将步骤(2)中的所述另一种聚合物材料加热使其发 生交联反应，固化形成芯层；步骤(2)中的所述另一种聚合物材料的粘度范 围为2Pa S 200 Pa s，其折射率大于下包层材料的折射率；(4)采用空气作为上包层，或以折射率低于芯层的材料在芯层上旋涂 形成上包层。本专利技术采用专门设计的直写装置在已有的整体下包层上直写芯层。它具 有工艺简单(不需要制作掩模-光刻等复杂的工艺)，设备造价低、效率高， 制作周期短等特点。而且，利用Si作为衬底材料，便于将直写技术与现有 的半导体工艺相容，如制备掩埋型的聚合物光波导器件的工艺与IC工艺相 容，有利于实现光电器件的集成制造。附图说明图l为本专利技术方法的工艺流程图； 图2为本专利技术装置所采用的微细笔的结构示意图； 图3为本专利技术装置的原理示意图； 图4为本专利技术装置的一种具体实施方式的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 如图l (a) (d)所示，本专利技术方法的步骤为(1) 在Si衬底l上旋涂厚度为5 8m的聚合物材料作为下包层2，或者 在Si衬底l上采用化学气相沉积生长一层厚度为5 8 u m的Si02作为下包层 2。聚合物材料的折射率介于1.4 1.6，如氟化聚酰亚胺。(2) 采用专用直写装置根据所设计的芯层图案按照轨迹将聚合物材料 直写在下包层2上；(3) 在真空条件下，将聚合物材料加热使其发生交联反应，固化形成芯层3。制备芯层3的聚合物材料的粘度范围为2Pa s 200 Pa s，其折射大 于下包层材料的折射率，如折射率高的氟化聚酰亚胺材料。(4)本专利技术可以采用空气作为上包层，或以折射率低于芯层的材料在 芯层3上旋涂形成上包层4，如折射率低的氟化聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲 酯(PMMA)等。本专利技术制备芯层和上包层所使用的聚合物材料的成分没有特殊的要 求，可以采用现有技术中制备光波导所使用的各种材料。上述步骤(2)所使用的专用直写装置的结构示意图如图2所示，气源5 通过气管6与压力控制装置7相连。压力控制装置7通过施压气管8与微细笔9 相连，用于控制施压气管8中气流的通断和调节气压大小，并向微细笔9的 储料腔中的浆料提供所需的压力。在通常情况下，笔筒内施压气压的压力 范围为0.001MPa—0.50MPa。微细笔9的结构如图3所示，减压装置12位于笔 帽13内，并与位于笔帽13顶部的施压气管財目连，笔帽13的下端与笔筒16的 上端螺纹连接并实现密封，构成储料腔14，储料腔14用于储存待沉积的聚 合物材料15，笔筒16的下端为笔尖17。减压装置12的作用在于使气压比较 平缓地加到储料腔14内，施加压力的大小是影响线宽的一个因素。另外笔 尖17内径的大小也是影响线宽的主要因素之一，通常情况下，笔尖17的内 径为20um 200um，外径为120 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备聚合物光波导的方法，其步骤包括：　（１）在Ｓｉ衬底上旋涂厚度为５～８μｍ的聚合物材料作为下包层，或者在Ｓｉ衬底上生长一层厚度为５～８μｍ的ＳｉＯ↓［２］作为下包层，聚合物材料的折射率为１．４～１．６；　（２）采用专用直写装置根据所设计的芯层图案按照轨迹将另一种聚合物材料直写在下包层上；　（３）在真空条件下，将步骤（２）中的所述另一种聚合物材料加热使其发生交联反应，固化形成芯层；步骤（２）中的所述另一种聚合物材料的粘度范围为２Ｐａ.ｓ～２００Ｐａ.ｓ，其折射率大于下包层材料的折射率；　（４）采用空气作为上包层，或以折射率低于芯层的材料在芯层上旋涂形成上包层。

【技术特征摘要】
1、一种制备聚合物光波导的方法，其步骤包括(1)在Si衬底上旋涂厚度为5～8μm的聚合物材料作为下包层，或者在Si衬底上生长一层厚度为5～8μm的SiO2作为下包层，聚合物材料的折射率为1.4～1.6；(2)采用专用直写装置根据所设计的芯层图案按照轨迹将另一种聚合物材料直写在下...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓雁，王泽敏，李祥友，李金洪，董林红，朱大庆，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]