一种耐冲击渐变层类金刚石薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及类金刚石薄膜技术领域，提供了一种耐冲击渐变层类金刚石薄膜及其制备方法。本发明专利技术以碳钯为靶材，采用磁控溅射法在基体表面制备类金刚石薄膜，并利用基体偏压的大小来调节膜层的软硬度，发明专利技术人发现，随着基体偏压的降低，溅射所得膜层的硬度逐渐升高，利用这一原理，本发明专利技术在磁控溅射镀膜过程中将基体偏压设置为渐变模式，从而实现膜层由软到硬的渐变，其中软层能起到缓冲作用，从而提高薄膜的耐冲击性；同时，本发明专利技术制备的类金刚石薄膜与基体具有优异的结合能力。实施例结果表明，本发明专利技术制备的耐冲击渐变层类金刚石薄膜与基体的结合力达到90N，用洛氏硬度计定性测试结合力，显示薄膜的结合力为一级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及类金刚石薄膜，尤其涉及一种耐冲击渐变层类金刚石薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、压缩机的主轴由径向轴承支撑，在壳体内高速旋转，轴与轴承之间产生滑动或滚动磨擦而发热，严重时会造成磨损，增加噪音。随着材料科学的不断发展，研究人员也在不断探索新的材料来解决压缩机主轴的摩擦问题。例如，一些高性能的涂层材料和耐磨材料被应用于压缩机主轴的表面处理，以提高其耐磨性和抗摩擦性能。

2、磁控溅射作为一种常用的物理气相沉积(pvd)方法，具有以下几个显著的优点：一、沉积速率快、沉积效率高：适合工业生产的大规模应用。二、基片温度低，因此适用于塑料等不耐高温的基材镀膜。三、制备的薄膜纯度高、致密性好、薄膜均匀性好、膜基结合力强。四、可制备金属、合金、氧化物等多种薄膜。五、环保无污染。近年来，磁控溅射法已经广泛应用于各类薄膜的制备中。

3、类金刚石薄膜在耐磨方面具有出色的表现，因此被广泛应用于各种需要高耐磨性的场合。类金刚石薄膜的高硬度和弹性模量可以有效地抵抗外界压力和摩擦力，从而减少表面的磨损和变形。此外，它的低摩擦系数可以减少摩擦热和磨损颗本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐冲击渐变层类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体偏压从1000V渐变到100V以及从100V渐变为1000V的过程中，基体偏压均为匀速渐变。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述基底偏压的变化过程分为十一个阶段，第一阶段由1000V渐变至800V，第二阶段由800V渐变至600V，第三阶段由600V渐变至400V，第四阶段由400V渐变至200V，第五阶段由200V渐变至100V，第六阶段的基体偏压维持为100V，第七阶段由100V渐变至200V，第八阶段由200V渐变...

【技术特征摘要】

1.一种耐冲击渐变层类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体偏压从1000v渐变到100v以及从100v渐变为1000v的过程中，基体偏压均为匀速渐变。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述基底偏压的变化过程分为十一个阶段，第一阶段由1000v渐变至800v，第二阶段由800v渐变至600v，第三阶段由600v渐变至400v，第四阶段由400v渐变至200v，第五阶段由200v渐变至100v，第六阶段的基体偏压维持为100v，第七阶段由100v渐变至200v，第八阶段由200v渐变至400v，第九阶段由400v渐变至600v，第十阶段由600v渐变至800v，第十一阶段由800v渐变至1000v；所述第一阶段～第五阶段的时间独立地为1.4～1.6h；所述第六阶段的时间为0.9～1.1h；所述第七阶段～第十一阶段的时间独立地为1.4～1.6h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜的条件还包括：转盘转速为1.5～2.5r/min，真空度为5×10-5～6×10-5torr，温度采取不加热方式，arc电流为95～105a，ar流量为150～200sccm。

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦庆朕，贾林涛，孙祝林，赵强，谭拱峰，蒋婕，吕超峰，
申请(专利权)人：上海康碳复合材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：