一种半导体沉积设备制造技术

本技术公开了一种半导体沉积设备，该半导体沉积设备包括反应腔室、多个排气口、多个排气管路、升降抖动装置、驱动装置及控制装置，多个排气口均匀分布于反应腔室的底部。多个排气管路与排气口一一对应连通。升降抖动装置设置于每个排气管路中靠近对应的排气口的一端。驱动装置设置于每个排气管路外，密封地穿过对应的排气管路与对应的排气管路中的升降抖动装置连接，控制装置与驱动装置连接，驱动装置根据控制装置发出的控制指令控制对应的升降抖动装置运动，从而带动对应的升降抖动装置的至少部分伸入反应腔室并相对对应的排气口运动。由此，本技术无需打开反应腔室就能够解决反应腔室排气口的堵塞问题，提高了设备运行效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工设备，具体涉及一种半导体沉积设备。

技术介绍

1、在半导体晶片上进行薄膜沉积是半导体制造工艺中一个非常重要的模块。典型的半导体沉积设备主要包括化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、等离子体增强气相沉积设备、金属有机物化学气相沉积(mocvd)设备等。

2、通常，在半导体薄膜沉积过程中，如图1和图2所示，半导体沉积设备中设有真空或低压的反应腔室100，反应腔室100内设置有晶圆承载台103，晶圆放置于该晶圆承载台103上。通过进气装置(例如喷淋头)将沉积气体引入反应腔室100内，并输送到放置在晶圆承载台上的一或多个晶圆的表面进行处理，从而生长出特定晶体结构的薄膜。反应腔室100的底壁上设置有排气口101，排气口连接排气管路102，使用过的沉积气体通过位于反应腔室底部的排气口101经排气管路102从反应腔室100内排出。同时为了实现均匀沉积，晶圆承载台103在旋转轴104的带动下高速旋转。

3、由于晶圆的放置不当，或者高温环境下晶圆容易发生变形，导致在沉积过程中晶圆在离心力的作用下发生飞片(晶圆被甩出晶圆承载台)。若被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述升降抖动装置包括：

3.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述支撑部的轮廓为与对应的所述排气管路的轮廓相匹配的弧形或环形。

4.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，每个所述排气管路中绕周向分布设置多个所述升降抖动装置，所述排气管路外设置多个所述驱动装置，多个所述驱动装置与多个所述升降抖动装置一一对应。

5.根据权利要求4所述的半导体沉积设备，其特征在于，多个所述支撑部沿排气管路的内轮廓的周向方向上排布。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述升降抖动装置包括：

3.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述支撑部的轮廓为与对应的所述排气管路的轮廓相匹配的弧形或环形。

4.根据权利要求2所述的半导体沉积设备，其特征在于，每个所述排气管路中绕周向分布设置多个所述升降抖动装置，所述排气管路外设置多个所述驱动装置，多个所述驱动装置与多个所述升降抖动装置一一对应。

5.根据权利要求4所述的半导体沉积设备，其特征在于，多个所述支撑部沿排气管路的内轮廓的周向方向上排布。

6.根据权利要求3或5所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述支撑部的外侧壁与对应的所述排气管路的内壁之间贴合且容许所述支撑部沿对应的所述排气管路的轴向方向运动。

7.根据权利要求5所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述基部包括横向伸缩杆，所述升降部与所述横向伸缩杆连接，对应的所述驱动装置与所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东兴，周慧娟，
申请(专利权)人：蓝河科技绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：