【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种材料制备技术，特别涉及一种液相输送cvd工艺制备tac涂层系统及方法。
技术介绍
1、目前第三代半导体较为成熟是sic晶体，其制备方法主要包括高温化学气相沉积法(high temperature chemical vapor deposition,ht-cvd)、液相法(liquid phaseepitaxy，lpe)和物理气相传输法(physical vapor transport，pvt)等，其中物理气相传输法是目前工业化最为成熟的制备方法。其生产过程主要是将sic粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，sic粉料升华，2300℃以上分解成含si和c的气体分子，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后实现再结晶。该方法生长过程反应腔处于高温、si蒸汽腐蚀环境下炉腔内石墨配件极易腐蚀，腐蚀后的颗粒直接影响晶元质量，在的石墨件表面制备高纯度防腐涂层成为一项重要的工作内容。
2、tac涂层具有高强度、高熔点、优异的高温力学性能、抗烧蚀性能和抗化学腐蚀性能等一系列优点，被广泛...
【技术保护点】
1.一种液相输送CVD工艺制备TaC涂层系统，其特征在于，包括溶液混合罐上端的加料口阀门、放在磁力搅拌器上的溶液混合罐、溶液混合罐外围的加热器、磁力搅拌器、与溶液混合罐、反应腔连接的微型蠕动泵、反应腔，作为钽源的TaCl5粉末和作为碳源的乙酰丙酮溶液通过加料口阀门进入溶液混合罐中，在溶液混合罐中通过加热器和磁力搅拌器进行加热、均匀搅拌，获得均匀分布的液相混合液，液相混合液通过微型蠕动泵送入反应腔进行气相反应。
2.根据权利要求1所述液相输送CVD工艺制备TaC涂层系统，其特征在于，所述加料口阀门，为将乙酰丙酮溶液与TaCl5粉末送入溶液混合罐的入口，可控打
【技术特征摘要】
1.一种液相输送cvd工艺制备tac涂层系统，其特征在于，包括溶液混合罐上端的加料口阀门、放在磁力搅拌器上的溶液混合罐、溶液混合罐外围的加热器、磁力搅拌器、与溶液混合罐、反应腔连接的微型蠕动泵、反应腔，作为钽源的tacl5粉末和作为碳源的乙酰丙酮溶液通过加料口阀门进入溶液混合罐中，在溶液混合罐中通过加热器和磁力搅拌器进行加热、均匀搅拌，获得均匀分布的液相混合液，液相混合液通过微型蠕动泵送入反应腔进行气相反应。
2.根据权利要求1所述液相输送cvd工艺制备tac涂层系统，其特征在于，所述加料口阀门，为将乙酰丙酮溶液与tacl5粉末送入溶液混合罐...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝魁，俞茂兰，孙乐，涂建新，霍彩霞，李爱军，白瑞成，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。