【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制备，具体涉及一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法。
技术介绍
1、砷化镓是一种重要的半导体材料，属ⅲ-ⅴ族化合物半导体，其具有高饱和电子速率、高电子迁移率等优异的电学特性，采用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，因而广泛应用于微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等领域。
2、在半导体器件的制造过程中，晶圆的键合与解键合工艺是背面制程中至关重要的步骤，晶圆通过涂蜡、烘烤、键合、减薄等步骤，将背面多余的砷化镓衬底去除，以提高晶圆散热便于后续背孔蚀刻及背面金属沉积。如cn115172146a公开了一种化合物半导体晶圆的制作方法，包括：提供一衬底，衬底的正面上依次形成化合物半导体晶圆的外延结构、正面器件结构以及引出金属层；覆盖正面器件结构形成钝化保护层；使化合物半导体晶圆的正面与第一支撑基板进行临时键合；对化合物半导体晶圆执行背面工艺；使薄片晶圆与第一支撑基板解键合，以及使薄片晶圆的背面通过热敏胶粘附在第二支撑基板上；于薄片晶圆的正面形成金属凸块，金属...
【技术保护点】
1.一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述透明保护层包括透明PMGI涂层或透明PMMA涂层；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述透明保护层为透明PMGI涂层时，所述涂布包括第一旋转涂布与第二旋转涂布；
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述第一热处理的温度为170-190℃；
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述液态蜡的主要成分包括萜烯酚树脂；
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