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本发明涉及一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法,所述方法包括如下步骤:(1)对砷化镓晶圆的正面涂布透明保护层后进行第一热处理,然后对第一热处理得到的砷化镓晶圆的表面涂布液态蜡后进行第二热处理,得到预处理晶圆;(2)将载盘与步骤(1)所得预处理晶...该专利属于合肥芯谷微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥芯谷微电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种砷化镓晶圆键合与解键合的方法,所述方法包括如下步骤:(1)对砷化镓晶圆的正面涂布透明保护层后进行第一热处理,然后对第一热处理得到的砷化镓晶圆的表面涂布液态蜡后进行第二热处理,得到预处理晶圆;(2)将载盘与步骤(1)所得预处理晶...