【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及包括电容器的半导体器件及其制造方法。
2、最近，随着半导体器件(例如，动态随机存取存储器(dram)装置)的集成密度的增加，单位存储器单元的面积减小，但是需要保持或增加单位存储器单元中的电容。因此，已经开发了用于增加电容器的表面积和底部电极的高度的各种方法。例如，已经提出了将底部电极形成为圆柱形或堆叠形状的方法。
技术实现思路
1、专利技术构思的实施方式提供了一种具有改善的电容、电气和可靠性特性的半导体器件。
2、专利技术构思的实施方式提供了一种克服蚀刻工艺的限制的方法，该蚀刻工艺被执行以制造半导体器件。
3、根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件可以包括：下部结构；在下部结构上的电容器，电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极；支撑第一底部电极的底部支撑图案；以及提供在底部支撑图案上以支撑第一底部电极的顶部支撑图案。第一底部电极可以包含第一材料，第二底部电极可以包含第...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一底部电极的顶表面相对于所述下部结构的所述底表面处于等于或低于所述顶部支撑图案的顶表面的水平，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极在平行于所述下部结构的所述底表面的方向上具有一宽度，所述宽度在所述第二底部电极的顶表面处比在所述第二底部电极的底表面处大。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料的所述功函数在4.5eV至5.5eV的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料包括硅掺杂的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一底部电极的顶表面相对于所述下部结构的所述底表面处于等于或低于所述顶部支撑图案的顶表面的水平，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极在平行于所述下部结构的所述底表面的方向上具有一宽度，所述宽度在所述第二底部电极的顶表面处比在所述第二底部电极的底表面处大。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料的所述功函数在4.5ev至5.5ev的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料包括硅掺杂的钛氮化物、钽氮化物、钼氮化物、铌氮化物和铌氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一材料包含掺杂的多晶硅、掺杂的硅锗、钛氮化物、钛、铂、钨、铝和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极的截面厚度小于所述第一底部电极的截面厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括电介质层，所述电介质层位于所述第一底部电极的至少一部分和所述第二底部电极的至少一部分上。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括在所述电介质层的表面上的顶部电极，以及
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：全寅铎，朴正敏，林汉镇，丁炯硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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