【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及包括电容器的半导体器件及其制造方法。
2、最近，随着半导体器件(例如，动态随机存取存储器(dram)装置)的集成密度的增加，单位存储器单元的面积减小，但是需要保持或增加单位存储器单元中的电容。因此，已经开发了用于增加电容器的表面积和底部电极的高度的各种方法。例如，已经提出了将底部电极形成为圆柱形或堆叠形状的方法。
技术实现思路
1、专利技术构思的实施方式提供了一种具有改善的电容、电气和可靠性特性的半导体器件。
2、专利技术构思的实施方式提供了一种克服蚀刻工艺的限制的方法，该蚀刻工艺被执行以制造半导体器件。
3、根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件可以包括：下部结构；在下部结构上的电容器，电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极；支撑第一底部电极的底部支撑图案；以及提供在底部支撑图案上以支撑第一底部电极的顶部支撑图案。第一底部电极可以包含第一材料，第二底部电极可以包含第二材料。第二材料的功函数可以大于第一材料的功函数。
4、根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件可以包括：包括有源图案的衬底；在衬底中设置为与有源图案交叉(即，横穿有源图案)的字线；在衬底上设置为与字线交叉的位线；设置在每个有源图案的中心部分上并连接到每条位线的位线接触；设置在每个有源图案的相对两端的存储节点接触；在每个存储节点接触上的落着焊盘；在落着焊盘上的电容器，电容器包括连接到
5、根据专利技术构思的实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上顺序地形成第一模层、底部支撑体层、第二模层和顶部支撑体层；对第一模层、底部支撑体层、第二模层和顶部支撑体层执行蚀刻工艺以形成开口，从而形成第一模部分、底部支撑图案、第二模部分和顶部支撑图案；形成第一底部电极以填充开口；在顶部支撑图案上形成附加支撑图案；以及在第一底部电极上形成第二底部电极以填充附加支撑图案之间的空间。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一底部电极的顶表面相对于所述下部结构的所述底表面处于等于或低于所述顶部支撑图案的顶表面的水平，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极在平行于所述下部结构的所述底表面的方向上具有一宽度，所述宽度在所述第二底部电极的顶表面处比在所述第二底部电极的底表面处大。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料的所述功函数在4.5eV至5.5eV的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料包括硅掺杂的钛氮化物、钽氮化物、钼氮化物、铌氮化物和铌氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一材料包含掺杂的多晶硅、掺杂的硅锗、钛氮化物、钛、铂、钨、铝和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极的截面厚度小于所述第一底部电极的截面厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括电介质层，所述电介质层
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括在所述电介质层的表面上的顶部电极，以及
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部支撑图案包括与所述顶部支撑图案相同的材料。
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极的一部分具有圆化的侧表面。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一底部电极包括第一材料且所述第二底部电极包括第二材料，其中所述第二材料的功函数比所述第一材料的功函数大0.1eV到1eV的范围。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，界面存在于所述第二底部电极与所述第一底部电极之间。
15.一种制造半导体器件的方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述附加支撑图案不形成在所述第一底部电极上。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述附加支撑图案包括与所述第一模部分、所述底部支撑图案、所述第二模部分和所述顶部支撑图案不同的材料。
18.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：在形成所述第二底部电极之后，去除所述附加支撑图案。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述附加支撑图案包括使用前体执行原子层沉积(ALD)方法，所述前体与所述顶部支撑图案反应但不与所述第一底部电极反应。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第二底部电极包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一底部电极的顶表面相对于所述下部结构的所述底表面处于等于或低于所述顶部支撑图案的顶表面的水平，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极在平行于所述下部结构的所述底表面的方向上具有一宽度，所述宽度在所述第二底部电极的顶表面处比在所述第二底部电极的底表面处大。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料的所述功函数在4.5ev至5.5ev的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料包括硅掺杂的钛氮化物、钽氮化物、钼氮化物、铌氮化物和铌氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一材料包含掺杂的多晶硅、掺杂的硅锗、钛氮化物、钛、铂、钨、铝和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极的截面厚度小于所述第一底部电极的截面厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括电介质层，所述电介质层位于所述第一底部电极的至少一部分和所述第二底部电极的至少一部分上。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述电容器进一步包括在所述电介质层的表面上的顶部电极，以及
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：全寅铎，朴正敏，林汉镇，丁炯硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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