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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：下部结构；在下部结构上的电容器，该电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极；支撑第一底部电极的底部支撑图案；和提供在底部支撑图...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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