半导体装置和用于制造该半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括：层间绝缘层；第一保护绝缘层，其位于层间绝缘层上；第二保护绝缘层，其位于第一保护绝缘层上；以及绝缘结构，其设置在第一保护绝缘层和第二保护绝缘层中的至少一个中，其中，绝缘结构包括：第一绝缘结构，其包括具有第一物理特性的第一材料；和第二绝缘结构，其包括具有第二物理特性的第二材料，并且第一材料和第二材料包括相同的材料，并且第一物理特性和第二物理特性是不同的物理特性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。

技术介绍

1、随着对更小和更轻的电子装置的需求，半导体工业一直在寻求使可以安装在电子装置中的半导体装置更小、更轻和更薄，同时使半导体装置具有更高的计算速度、更多的功能和更高的容量。堆叠的半导体装置(例如，高带宽存储器(hbm))是用于实现这些特性中的一个或多个的提议技术。堆叠的半导体装置通过堆叠单独的半导体芯片而形成。堆叠的半导体装置能够存储更多的数据并以比传统半导体芯片更高的速率传输数据。

2、可以通过耦接半导体芯片(其可以在晶圆级(例如，利用晶圆级堆叠)执行)来制造堆叠的半导体装置。可设置在晶圆上的不同位置处的堆叠的半导体装置可能对晶圆的翘曲敏感。晶圆的翘曲可能是由施加到晶圆的压缩应力或拉伸应力引起的。由于各种因素，晶圆上施加压缩应力的位置和晶圆上施加拉伸应力的位置可能彼此不同。在这种情况下，翘曲可能根据芯片在晶圆上的位置而变化。

3、当晶圆的翘曲严重时，可能在薄膜中出现缺陷，因此可能变得难以耦接半导体芯片。代表性的薄膜缺陷包括薄膜的分层、在薄膜中产生裂纹、薄膜的一些部分的屈曲本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘层位于衬底上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.一种半导体装置，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述掩模层和所述第一保护绝缘层中的至少一个包括原硅酸...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘层位于衬底上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.一种半导体装置，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述掩模层和所述第一保护绝缘层中的至少一个包括原硅酸四乙酯。

11.根据权利要求8所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴奎星，慎重垣，李钟旼，崔智旻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：