形成多深度光学器件的方法技术

技术编号:42546866 阅读:23 留言:0更新日期:2024-08-27 19:48
提供了一种具有折射率大于或等于2.0的多深度光学装置结构的光学器件和一种形成该光学器件的方法。该光学器件和方法包括形成第一矩阵堆叠结构和第二矩阵堆叠结构。相邻的第一矩阵堆叠结构形成具有第一深度的第一通孔,并且相邻的第二矩阵堆叠结构形成具有第二深度的第二通孔。当用器件材料回填通孔时,第一通孔的第一深度不同于第二通孔的第二深度提供了亚微米、多深度光学器件结构的形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开内容的实施方式一般关于用于增强现实、虚拟现实和混合现实的光学器件。更具体地,本文描述的实施方式关于具有折射率大于或等于2.0的多深度光学器件结构的光学器件和形成该光学器件的方法。


技术介绍

1、光学器件可用于使用形成在基板上的光学器件的结构来操纵光的传播。光学器件包括平面内尺寸小于光的设计波长的一半的结构的布置。结构具有亚微米临界尺寸(如,纳米级尺寸),以通过操纵光子来改变光传播,以便引起局部相位不连续(即,在小于光的波长的距离上的相位的突然变化)。除了具有亚微米临界尺寸之外,还期望光学器件的不同区段具有不同高度的结构。还期望结构的折射率和在结构之间的区域的折射率之间具有高对比度,以改善光学器件的性能。

2、然而,由高折射率材料(即,折射率大于约2.0的材料)形成具有亚微米临界尺寸的光学器件可能具有挑战性。例如,蚀刻高折射率材料层以形成不同高度的结构可能导致不均匀的临界尺寸。因此,本领域所需要的是具有折射率大于或等于2.0的多深度光学器件结构的光学器件及形成该光学器件的方法。


技术实现思路</b>

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【技术保护点】

1.一种方法,包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述器件材料具有大于或等于2.0的器件折射率。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一矩阵堆叠结构和所述第二矩阵堆叠结构具有小于2.0的矩阵堆叠折射率。

4.根据权利要求3所述的方法,其中在所述器件折射率与所述矩阵堆叠折射率之间的对比度为约1.7:1.45至约3.7:1.45。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述矩阵堆叠包含第一矩阵层、蚀刻停止层和第二矩阵层。

6.根据权利要求5所述的方法,其中:

7.根据权利要求6所述的方法,其中:

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种方法,包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述器件材料具有大于或等于2.0的器件折射率。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一矩阵堆叠结构和所述第二矩阵堆叠结构具有小于2.0的矩阵堆叠折射率。

4.根据权利要求3所述的方法,其中在所述器件折射率与所述矩阵堆叠折射率之间的对比度为约1.7:1.45至约3.7:1.45。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述矩阵堆叠包含第一矩阵层、蚀刻停止层和第二矩阵层。

6.根据权利要求5所述的方法,其中:

7.根据权利要求6所述的方法,其中:

8.根据权利要求1所述的方法,其中:

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包含以下步骤:收缩所述第一通孔的至少一个通孔。

10.根据权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:平坦化所述器件材料。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述器件材料包含以下材料中的一种或多种:含有碳氧化硅(sioc)、二氧化钛(tio2)、二氧化硅(sio2)、氧化钒(iv)(vox)、氧化铝(al2o3)、掺铝氧化锌(azo)、氧化铟锡(ito)、二氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、五氧化二钽(ta2o5)、氮化硅(si3n4)、二氧化锆(zro2)、氧化铌(nb2o5)、锡酸镉(cd2sno4)或碳氮化硅(sicn)的材料。

12.一种方法,包含以下步骤:

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【专利技术属性】
技术研发人员:罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森陈冠楠
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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