本发明专利技术提供一种用于半导体制造的degas腔及设备。degas腔包括：腔体、金属材质的气体管路、加热电磁环及支撑架；所述气体管路与导热气体源连通，包括位于腔体内部的上部管路、中间管路及下部管路，中间管路呈中空筒状，且自上而下延伸，上部管路和下部管路呈盘状，且分别位于中间管路的上下两端，由此共同围设出对晶圆进行加热除气的处理空间，各管路上均设置有若干朝向处理空间喷射加热气体的出气孔；所述支撑架的顶部位于处理空间内，用于支撑晶圆，支撑架中部镂空；所述加热电磁环绕设于气体管路上，且与加热电源电连接，以通过电磁感应加热方式对气体管路进行加热，从而对气体管路中的导热气体进行加热。本发明专利技术有助于提高设备产出率，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造设备，特别是涉及一种用于半导体制造的degas腔及设备。
技术介绍
1、degas工艺是半导体芯片制造过程中常用的预处理工艺，其主要作用是在进行正式的制程工艺前，例如在pvd工艺前对晶圆进行加热，以去除晶圆表面的水汽。现有的degas腔体的主要结构包括真空腔室以及设置于真空腔室内的加热器，加热器内部设置有加热盘，表面设置有导热盘，且加热器表面设置有沟槽。其degas处理的过程为，对加热盘施加直流电流，加热盘被加热后传导到加热器以及导热盘，待加热盘被加热到表面温度达到200~400℃之后，晶圆被传送到导热盘表面，此时向腔室内通入导热气体。气体分子会进入加热器的沟槽，其与加热器接触后受热成为导热介质，会将热量再次传导到晶圆背面以对晶圆进行加热。当晶圆的温度逐渐升高，其表面的水汽等杂气被去除。
2、这种结构的degas腔体主要存在以下问题：
3、1.加热盘要用直流加热，升温过程缓慢，预热时间长达2h左右，且加热盘需将热量经加热器传递到导热盘，热量会有部分散失；
4、2.通入气体后，只有少量的气体会作为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体制造的degas腔，其特征在于，包括：腔体、金属材质的气体管路、加热电磁环及支撑架；所述气体管路与导热气体源连通，包括位于腔体内部的上部管路、中间管路及下部管路，中间管路呈中空筒状，且自上而下延伸，上部管路和下部管路呈盘状，且分别位于中间管路的上下两端，由此共同围设出对晶圆进行加热除气的处理空间，各管路上均设置有若干朝向处理空间喷射加热气体的出气孔；所述支撑架的顶部位于处理空间内，用于支撑晶圆，支撑架中部镂空；所述加热电磁环绕设于气体管路上，且与加热电源电连接，以通过电磁感应加热方式对气体管路进行加热，从而对气体管路中的导热气体进行加热。
>2.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造的degas腔，其特征在于，包括：腔体、金属材质的气体管路、加热电磁环及支撑架；所述气体管路与导热气体源连通，包括位于腔体内部的上部管路、中间管路及下部管路，中间管路呈中空筒状，且自上而下延伸，上部管路和下部管路呈盘状，且分别位于中间管路的上下两端，由此共同围设出对晶圆进行加热除气的处理空间，各管路上均设置有若干朝向处理空间喷射加热气体的出气孔；所述支撑架的顶部位于处理空间内，用于支撑晶圆，支撑架中部镂空；所述加热电磁环绕设于气体管路上，且与加热电源电连接，以通过电磁感应加热方式对气体管路进行加热，从而对气体管路中的导热气体进行加热。
2.根据权利要求1所述的degas腔，其特征在于，所述上部管路和下部管路均包括多段同心环设且相互连通的管路，所述中间管路包括多段在同一圆周面上间隔设置的线状管路，所述上部管路、中间管路和下部管路围设出上部尺寸小于下部尺寸的圆台状处理空间。
3.根据权利要求1所述的degas腔，其特征在于，所述上部管路、中间管路和下部管路相互连通，所述上部管路包括多段间隔设置且首尾连接的环形管路以及与各环形管路连通的进气管路，所述进气管路的首尾两端均为进气端，所述加热电磁环绕设于上部管路的进气端。
4.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈东伟，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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