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本发明提供一种用于半导体制造的degas腔及设备。degas腔包括：腔体、金属材质的气体管路、加热电磁环及支撑架；所述气体管路与导热气体源连通，包括位于腔体内部的上部管路、中间管路及下部管路，中间管路呈中空筒状，且自上而下延伸，上部管路和下...
该专利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海陛通半导体能源科技股份有限公司授权不得商用。

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