一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置制造方法及图纸

本技术提供一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，包括：罩壳、控制面板以及电机，所述罩壳前端左侧设有控制面板，所述控制面板右侧设有观察口，所述罩壳左侧内部设有操作腔，所述操作腔下端设有台面，所述台面上端设有旋台，所述旋台内部设有若干组放置座，所述旋台上端中间位置设有旋头，与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：通过使用两组侧门以及控制面板，能够便于工作人员对操作腔内部进行调整，通过使用电机，能够带动旋台旋转移动，通过使用丝杠一以及丝杠二，能够对抛光部件位置进行调节，通过使用两组抛光头，能够对两组碳化硅进行抛光作业，同时定位吸盘能够防止碳化硅在抛光作业时移动。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于碳化硅抛光，涉及一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置。

技术介绍

1、碳化硅半导体是一种用于高温、高压、高频等极端环境的电子器件材料。其特点是电学性质好、导热性能高、机械强度大等，因而应用广泛。在碳化硅器件制造中，必须采用减薄技术，将厚重的母片削薄到所需规格，以提高器件性能和降低成本，碳化硅碳化硅减薄片在连续抛光过程中可能会遇到多种问题和缺陷。

2、碳化硅减薄片的抛光过程中，需要保证每一片减薄片的抛光程度均匀一致。然而，由于材料特性的不均匀性，以及抛光垫、磨料和工艺参数的差异，往往导致抛光后的片子表面存在差异。

3、在连续抛光过程中，碳化硅减薄片可能会因为磨料和抛光垫的摩擦作用，产生表面划痕、微观裂纹等表面缺陷。这些缺陷不仅影响碳化硅减薄片的表面完整性，还可能对其性能产生负面影响，因此，现在亟需一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置来解决以上的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，解决上述
技术介绍
中提出的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，包括：罩壳(100)、控制面板(110)以及电机(250)，其特征在于：所述罩壳(100)前端左侧设有控制面板(110)；

2.根据权利要求1所述的一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，其特征在于：所述罩壳(100)与底壳通过螺栓连接固定，所述罩壳(100)前端设有两组侧门，且所述控制面板(110)内嵌安装在左侧侧门，所述观察口内嵌安装在右侧侧门。

3.根据权利要求2所述的一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，其特征在于：所述底壳内部左侧与电机(250)通过螺栓连接固定，所述电机(250)与旋轴连接，所述旋轴与旋头(...

【技术特征摘要】

1.一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，包括：罩壳(100)、控制面板(110)以及电机(250)，其特征在于：所述罩壳(100)前端左侧设有控制面板(110)；

2.根据权利要求1所述的一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，其特征在于：所述罩壳(100)与底壳通过螺栓连接固定，所述罩壳(100)前端设有两组侧门，且所述控制面板(110)内嵌安装在左侧侧门，所述观察口内嵌安装在右侧侧门。

3.根据权利要求2所述的一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，其特征在于：所述底壳内部左侧与电机(250)通过螺栓连接固定，所述电机(250)与旋轴连接，所述旋轴与旋头(170)为一体机构，所述旋头(170)与旋台(150)通过螺栓连接固定。

4.根据权利要求3所述的一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置，其特征在于：所述旋台(150)以旋头(170)横截面圆心为轴进行旋转，所述旋台(150)下端设有若干组内...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天运，邱艳丽，
申请(专利权)人：合肥世纪金芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：