高压侧驱动电路制造技术

一种高压侧驱动电路，包含靴带电容器、Ｐ通道金属氧化物半导体、Ｎ通道金属氧化物半导体以及非重迭电路。所述靴带电容器耦接高压侧晶体管的源极。所述Ｐ通道金属氧化物半导体的漏极耦接所述高压侧晶体管的栅极。所述Ｎ通道金属氧化物半导体的漏极耦接所述Ｐ通道金属氧化物半导体的漏极，所述Ｎ通道金属氧化物半导体的源极耦接所述高压侧晶体管的源极。所述非重迭电路的第一输出端耦接所述Ｐ通道金属氧化物半导体的所述栅极，而第二输出端耦接所述Ｎ通道金属氧化物半导体的所述栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种驱动电路，且特别是一种高压侧驱动器。
技术介绍
随着科技的日新月异，电子产业蓬勃发展，功率转换器已经广泛地运用在人们的 日常生活中，像是电源供应器、马达驱动器等等。现今而言，许多功率转换器采用高压侧驱 动器来控制耦接到负载的电压源。 请参照图l，其是一种现有的高压侧驱动器的等效电路图。图1中，高压侧晶体管 10耦接低压侧晶体管20。当高压侧晶体管10截止，且低压侧晶体管20导通时，电容30可 进行充电。然而，高压侧驱动器在高压应用中，由于切换所造成的损耗，造成能源的浪费。 基于上述原因，需要一种新的高压侧驱动电路，适用于高压应用而且不会造成能 源的浪费。
技术实现思路
本专利技术的要解决的技术问题是提供一种新的高压侧驱动电路，其可有效地降低漏 电流，不会造成能源的浪费。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种高压侧驱动电路，包含靴带电容器、P通道金属氧化物半导体、N通道金属氧化物半导体以及非重迭电路。靴带电容器具有正端与负端，其中正端耦接电压源，负端耦接高压侧晶体管的源极及低压侧晶体管的漏极。P通道金属氧化物半导体的源极耦接靴带电容器，P通道金属氧化物半导体的漏极耦接高压侧晶体管的栅极。N通道金属氧化物半导体的漏极耦接P通道金属氧化物半导体的漏极，N通道金属氧化物半导体的源极耦接高压侧晶体管的源极。非重迭电路，包含输入端、第一输出端以及第二输出端。输入端可接收讯号。第一输出端可根据讯号，输出一第一驱动讯号至P信道金属氧化物半导体的栅极，其中第一输出端于一第一时间，输出第一驱动讯号的前缘；且第一输出端于一第二时间，输出第一驱动讯号的后缘。第二输出端可根据讯号，输出一第二驱动讯号至N信道金属氧化物半导体的栅极，其中第二输出端于一第三时间，输出第二驱动讯号的前缘；且第二输出端于一第四时间，输出第二驱动讯号的后缘。其中第一时间与第三时间相差一第一时间差第二时间与第四时间相差一第二时间差。 由于P通道金属氧化物半导体与N通道金属氧化物半导体非同时切换导通/截止状态，使得P通道金属氧化物半导体的漏极与N通道金属氧化物半导体的漏极的间的漏电流相当微小，而不会造能源的浪费。 依照本专利技术另一实施例，一种高压侧驱动电路，包含靴带电容器、P通道金属氧化 物半导体、N通道金属氧化物半导体以及非重迭电路。靴带电容器具有正端与负端，其中正 端耦接一电压源，负端耦接高压侧晶体管的源极及低压侧晶体管的漏极。P通道金属氧化物 半导体的源极耦接靴带电容器，P通道金属氧化物半导体的漏极耦接高压侧晶体管的栅极。 N通道金属氧化物半导体的漏极耦接P通道金属氧化物半导体的漏极，N通道金属氧化物半导体的源极耦接高压侧晶体管的一源极。非重迭电路，包含输入端、重设端、第一输出端以 及第二输出端。输入端可接收第一脉冲讯号。重设端可接收第二脉冲讯号。第一输出端可 根据第一脉冲讯号与第二脉冲讯号，输出一第一驱动讯号至P信道金属氧化物半导体的栅 极，其中第一输出端根据第一脉冲讯号于一第一时间，输出第一驱动讯号的前缘；且第一输 出端根据第二脉冲讯号于一第二时间，输出第一驱动讯号的后缘。第二输出端可根据第一 脉冲讯号与第二脉冲讯号，输出一第二驱动讯号至N信道金属氧化物半导体的栅极，其中第二输出端根据第一脉冲讯号于一第三时间，输出第二驱动讯号的前缘；且第二输出端根 据第二脉冲讯号于一第四时间，输出第二驱动讯号的后缘。其中第一时间与第三时间相差 一第一时间差第二时间与第四时间相差一第二时间差。 由于P通道金属氧化物半导体与N通道金属氧化物半导体非同时切换导通/截止 状态，使得P通道金属氧化物半导体的漏极与N通道金属氧化物半导体的漏极的间的漏电 流相当微小，而不会造能源的浪费。 本专利技术的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。本专利技术的技术方案可达到相当的创造性及实用性，并具有产业上的广泛利用价值，其具有省电的优点。 综上所述，本专利技术的高压侧驱动电路，具有省电的特点，并且可将所述高压侧驱动电路运用在适合的技术环节。本专利技术具有上述诸多优点及实用价值，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果。 以下将以实施例对上述的说明以及接下来的实施方式做详细的描述，并对本专利技术 提供更进一步的解释。附图说明图1是一种现有的高压侧驱动器的等效电路图2A是依照本专利技术一实施例的一种高压侧驱动器的等效电路图2B是图2A高压侧驱动器的时序图3是依照本专利技术一实施例的一种非重迭电路的等效电路图4A是依照本专利技术另一实施例的一种高压侧驱动器的等效电路图图4B是图4A的高压侧驱动电路400的时序图。10 :高压侧晶体管30 :电容 210 :二极管230 :P通道金属氧化物半导体 250 :非重迭电路252 :第二输出端 280 :低压侧晶体管 VB :电压源 SIN :输入端20 :低压侧晶体管 200 :高压侧驱动电路 220 :靴带电容器240 :N通道金属氧化物半导体251 :第一输出端 270 :高压侧晶体管 400 :高压侧驱动电路 RIN :重设端具体实施例方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，可参照下列的图示及各种实施例，图式中相同的号码代表相同或相似的组件。另一方面，众所周知的组件并未描述于实施例中，以避 免造成本专利技术不必要的限制。 请参照图2A，是依照本专利技术一实施例的一种高压侧驱动电路的等效电路图。图2A 中，高压侧驱动电路(high side driver) 200可包含靴带电容器220、 P通道金属氧化物半 导体230、 N通道金属氧化物半导体240以及非重迭电路(non-overl即circuit) 250。靴 带电容器220的两端可分为正端与负端，其中靴带电容器220的正端耦接P通道金属氧化 物半导体230的源极，靴带电容器220的负端耦接高压侧晶体管270的源极及低压侧晶体 管280的漏极。P通道金属氧化物半导体230具有源极、漏极与栅极，其中P通道金属氧化 物半导体230的源极耦接二极管210的阴极，且P信道金属氧化物半导体230的漏极耦接 高压侧晶体管270的栅极。N通道金属氧化物半导体240具有源极、漏极与栅极，其中N通 道金属氧化物半导体240的漏极耦接P通道金属氧化物半导体230的漏极，且N通道金属 氧化物半导体240的源极耦接高压侧晶体管270的源极。非重迭电路250包含输入端SIN、 第一输出端251与第二输出端252，其中第一输出端251耦接P通道金属氧化物半导体230 的栅极，第二输出端252耦接N通道金属氧化物半导体240的栅极。 另外，高压侧驱动电路200还可选择性地配置二极管210，其中二极管210具有阳 极与阴极，其中二极管210的阳极耦接电压源VB。于其它实施例中，高压侧驱动电路200可 移除二极管210，亦即电压源VB不透过二极管210耦接至靴带电容器220。 请同时参照第2A-2B图，其中图2B是图2A的高压侧驱动电路200的时序图。以 下将以实施例来具体说明高压侧驱动电路200于使用上的实施方式。 于本实施例中，输入端SIN可接收一讯号。第一输出端251可根据讯号，输出第一 驱动讯号至P信道金属氧化物半导体240的栅极，其中第一输出端251于第一时间Tl输出 第一驱动讯号的前缘；且第一输出端25本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压侧驱动器，包含：靴带电容器，具有正端与负端，其中该正端耦接电压源，该负端耦接高压侧晶体管的源极及低压侧晶体管的漏极；Ｐ通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该Ｐ通道金属氧化物半导体的该源极耦接该靴带电容器，该Ｐ通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该高压侧晶体管的栅极；Ｎ通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该Ｎ通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该Ｐ通道金属氧化物半导体的该漏极，该Ｎ通道金属氧化物半导体的该源极耦接该高压侧晶体管的源极；以及非重迭电路，包含：输入端，用以接收讯号；第一输出端，用以根据该讯号，输出第一驱动讯号至该Ｐ信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第一输出端于第一时间，输出该第一驱动讯号的前缘；且该第一输出端于第二时间，输出该第一驱动讯号的后缘；以及第二输出端，用以根据该讯号，输出第二驱动讯号至该Ｎ信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第二输出端于第三时间，输出该第二驱动讯号的前缘；且该第二输出端于第四时间，输出该第二驱动讯号的后缘，其中该第一时间与该第三时间相差一第一时间差，该第二时间与该第四时间相差一第二时间差。

【技术特征摘要】
一种高压侧驱动器，包含靴带电容器，具有正端与负端，其中该正端耦接电压源，该负端耦接高压侧晶体管的源极及低压侧晶体管的漏极；P通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该P通道金属氧化物半导体的该源极耦接该靴带电容器，该P通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该高压侧晶体管的栅极；N通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该N通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该P通道金属氧化物半导体的该漏极，该N通道金属氧化物半导体的该源极耦接该高压侧晶体管的源极；以及非重迭电路，包含输入端，用以接收讯号；第一输出端，用以根据该讯号，输出第一驱动讯号至该P信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第一输出端于第一时间，输出该第一驱动讯号的前缘；且该第一输出端于第二时间，输出该第一驱动讯号的后缘；以及第二输出端，用以根据该讯号，输出第二驱动讯号至该N信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第二输出端于第三时间，输出该第二驱动讯号的前缘；且该第二输出端于第四时间，输出该第二驱动讯号的后缘，其中该第一时间与该第三时间相差一第一时间差，该第二时间与该第四时间相差一第二时间差。2. 如权利要求1所述的高压侧驱动器，其中该P通道金属氧化物半导体截止且该N通 道金属氧化物半导体导通，使该高压侧晶体管截止。3. 如权利要求2所述的高压侧驱动器，其中当该低压侧晶体管导通时，该电压源对该 靴带电容器进行充电。4. 如权利要求1所述的高压侧驱动器，其中该P通道金属氧化物半导体导通且该N通 道金属氧化物半导体截止，使该高压侧晶体管导通。5. 如权利要求l所述的高压侧驱动器，包含二极管，配置于该电压源与该靴带电容器的间，其中该二极管具有阳极与阴极，其中该 阳极耦接该电压源且该阴极耦接该靴带电容器。6. —种高压侧驱动器，包含靴带电容器，具有正端与负端，其中该正端耦接电压源，该负端耦接高压侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：关侃胜，
申请(专利权)人：广闳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]