一种激光诱导局域多晶硅钝化电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种激光诱导局域多晶硅钝化电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底、正/背面的氮化硅层、正/背面的金属电极，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有硼掺杂发射极和氧化铝层；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层和n+poly层，所述n+poly层表面形成有间隔阵列的LIO刻蚀凹槽。本发明专利技术相较于传统的TOPCon电池结构，本发明专利技术利用激光诱导氧化使局域poly‑Si氧化为SiO/SiO<subgt;2</subgt;，再利用低温碱液将非激光区域poly腐蚀去除部分，在满足poly钝化的前提下，减少poly覆盖区域以及厚度，减少寄生光吸收，提高电池短路电流Isc，以提高电池效率、背面效率、双面率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池，尤其是涉及一种激光诱导局域多晶硅钝化电池及其制备方法。

技术介绍

1、太阳电池是直接将光能转化为电能的微电子器件，其经过多年的发展，有多种结构，包括perc(passivated emitterand rear cell，发射极背面钝化电池)、topcon(tunneloxide passivated contact solar cell，隧穿氧化钝化太阳电池)、hjt(heterojunctionwith intrinsic thin layer，异质结太阳电池)等。目前，综合考虑电池效率以及制造成本，topcon电池无疑是目前的主流。

2、目前，太阳电池产业链下游，如组件、电站等应用对于双面电池与组件的需求比例越来越重。对于电池背面效率，双面率(η＝背面效率/正面效率×100％)要求逐渐提高，但是由于topcon电池目前背面需要使用n+poly层背表面进行钝化，poly对于光的寄生光吸收使得背面效率降低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于物理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光诱导局域多晶硅钝化电池，包括硅片衬底、正/背面的氮化硅层、正/背面的金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有硼掺杂发射极和氧化铝层；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层和n+poly层，所述n+poly层表面形成有间隔阵列的LIO刻蚀凹槽。

2.根据权利要求1所述的激光诱导局域多晶硅钝化电池，其特征在于，所述硅片衬底的厚度为130μm、氧化铝层的厚度为10～11nm、隧穿氧化层的厚度为1nm、n+poly层的厚度为100nm、LIO刻蚀凹槽的深度为40～50nm。

3.一种激光诱导局域多晶硅钝化电池的制备方法，其特征在于，包...

【技术特征摘要】

1.一种激光诱导局域多晶硅钝化电池，包括硅片衬底、正/背面的氮化硅层、正/背面的金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有硼掺杂发射极和氧化铝层；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层和n+poly层，所述n+poly层表面形成有间隔阵列的lio刻蚀凹槽。

2.根据权利要求1所述的激光诱导局域多晶硅钝化电池，其特征在于，所述硅片衬底的厚度为130μm、氧化铝层的厚度为10～11nm、隧穿氧化层的厚度为1nm、n+poly层的厚度为100nm、lio刻蚀凹槽的深度为40～50nm。

3.一种激光诱导局域多晶硅钝化电池的制备方法，其特征在于，包括依次进行的如下步骤：

4.根据权利要求3所述的激光诱导局域多晶硅钝化电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中：对硅片进行制绒处理，去除表面切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耕，邹金圩，乔晓琴，郭飞，邱建羽，刘杰，熊大明，林建伟，
申请(专利权)人：山西中来光能电池科技有限公司，
类型：发明
国别省市：