一种异质钝化隧穿氧化接触电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种异质钝化隧穿氧化接触电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底、正面金属电极以及背面金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层、n型多晶硅层和氮化硅层。本发明专利技术采用TOPCon背面接触钝化方式与异质结方式相结合的电池结构，使制得的电池能够兼具两种电池的优势，最终背面氮化硅钝化膜并未因高/低温烧结导致钝化膜性能变差，最终通过更好的钝化方式使得电池Voc有所提升，电池的最终效率提升0.15～0.2％左右。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池，尤其是涉及一种异质钝化隧穿氧化接触电池及其制备方法。

技术介绍

1、太阳电池是直接将光能转化为电能的微电子器件，其经过多年的发展，有多种结构，包括perc(passivated emitterand rear cell，发射极背面钝化电池)、topcon(tunneloxide passivated contact solar cell，隧穿氧化钝化太阳电池)、hjt(heterojunctionwith intrinsic thin layer，异质结太阳电池)等。目前，综合考虑电池效率以及制造成本，topcon电池无疑是目前的主流。topcon技术是一种在电池背面制备一层超薄隧穿氧化层(siox)并在其表面生长重掺杂的多晶硅层(poly-si)，二者共同形成了钝化接触结构。不导电但是极薄的隧穿氧化层可以使高浓度的多数载流子(多子)以量子隧穿的形式通过，但是会阻挡少子；重掺杂的poly可以改变硅的能带位置，使其变为p型/n型半导体，阻挡电子/空穴靠近。因此，topcon电池拥有高的钝化能力、转化效率，这也使得topcon电池成为大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质钝化隧穿氧化接触电池，包括硅片衬底、正面金属电极以及背面金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层、n型多晶硅层和氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的异质钝化隧穿氧化接触电池，其特征在于，所述硅片衬底的厚度为130μm、本征非晶硅层的厚度为5～10nm、硼掺杂非晶硅层的厚度为5～10nm、透明导电氧化物薄膜的厚度为80nm、隧穿氧化层的厚度为1nm、n型多晶硅层的厚度为100nm、氮化硅层的厚度为90～100nm。

3.一种异质钝化隧穿氧化接...

【技术特征摘要】

1.一种异质钝化隧穿氧化接触电池，包括硅片衬底、正面金属电极以及背面金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层、n型多晶硅层和氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的异质钝化隧穿氧化接触电池，其特征在于，所述硅片衬底的厚度为130μm、本征非晶硅层的厚度为5～10nm、硼掺杂非晶硅层的厚度为5～10nm、透明导电氧化物薄膜的厚度为80nm、隧穿氧化层的厚度为1nm、n型多晶硅层的厚度为100nm、氮化硅层的厚度为90～100nm。

3.一种异质钝化隧穿氧化接触电池的制备方法，其特征在于，包括依次进行的如下步骤：

4.根据权利要求3所述的异质钝化隧穿氧化接触电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中：对硅片进行制绒处理，去除表面切割损...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耕，郭飞，郭晨璐，邱建羽，邹金圩，乔晓琴，熊大明，林建伟，
申请(专利权)人：山西中来光能电池科技有限公司，
类型：发明
国别省市：