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本发明提供了一种激光诱导局域多晶硅钝化电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底、正/背面的氮化硅层、正/背面的金属电极，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有硼掺杂发射极和氧化铝层；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层和n+poly层，...
该专利属于山西中来光能电池科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中来光能电池科技有限公司授权不得商用。

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