【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有金属引线电极的半导体装置。
技术介绍
1、在电力半导体装置等半导体装置中,作为进行半导体元件与外部电极之间的电路连接的方法,具有不对主电流的路径使用金属导线键合、而是将半导体元件与金属引线电极直接接合的方法(例如专利文献1)。根据该方法,实现半导体装置的大电流化、长寿命化以及高可靠性。
2、为了将半导体元件与金属引线电极直接接合,需要向半导体元件上供给膏焊料等接合材料。作为其方法,具有滴涂(dispense)供给和基于丝网印刷的供给。
3、专利文献1:国际公开第2020/039986号
技术实现思路
1、在滴涂供给的情况下,由于是对各半导体元件1个部位1个部位地进行滴涂涂敷,因此具有在存在大量半导体元件的情况下耗费时间的问题。另外,如果接合材料的供给量对于每个半导体元件而产生波动,则具有金属引线电极发生倾斜、产生金属引线电极与半导体元件之间的接合不良的问题。
2、另一方面,在丝网印刷的情况下,具有由于金属掩模直接接触至半导体元件上,
...【技术保护点】
1.一种半导体装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
5.一种半导体装置的制造方法,
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
9.一种半导体装置的制造方法,
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其中,
11.根据
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
5.一种半导体装置的制造方法,
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其中,
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