一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池，涉及光伏技术领域。氧化亚铜薄膜的制备方法包括：将第一靶材，采用PVD反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜。本发明专利技术中，PVD反应溅射适用于大面积均匀镀膜，工艺较为简单，成本较低，有利于实现工业化生产。在PVD反应溅射过程中，可以通过改变氧流量和工艺压强等工艺参数，可以精准获得氧化亚铜，以排除不必要的杂相，可控性强，同时，得到的氧化亚铜薄膜质量和稳定性较高，并且得到的氧化亚铜薄膜的电阻率可以在很宽的范围内控制。并且，PVD反应溅射可以满足室温和高温不同的生长环境，适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池。

技术介绍

1、太阳能电池能够将太阳能转换为电能，其所利用的是清洁能源，因此具有广泛的应用前景。例如，氧化亚铜薄膜太阳能电池就以其较低的成本、无毒、资源丰富等优点而备受瞩目。

2、目前，氧化亚铜薄膜的制备方式，主要是采用电化学溶液沉积等制备，主要过程是：首先制备卤素的前驱体溶液，然后再进行电化学沉积。

3、然而，上述工艺流程繁琐，不利于工业化生产，并且难以同时稳定cu2+和cu+离子。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种氧化亚铜薄膜及其制备方法和太阳能电池，旨在解决现有氧化亚铜薄膜的制备方法工艺流程繁琐，并且难以同时稳定cu2+和cu+离子的问题。

2、本专利技术的第一方面，提供一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括：

3、将第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜；所述第一靶材包括：铜靶材，和/或，氧化铜靶材。

4、本专利技术实施例中，将第一靶材，采用pvd反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将第一靶材，采用PVD反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜，包括：

3.根据权利要求1所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将第一靶材，采用PVD反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求2所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将卤化氢气体和所述第一靶材，采用PVD反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜，包括：

5.根据权利要求2或4所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜，包括：

3.根据权利要求1所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求2所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将卤化氢气体和所述第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜，包括：

5.根据权利要求2或4所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将卤化氢气体和所述第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜之前，所述方法还包括：

6.根据权利要求2或4所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求2所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述将卤化氢气体和所述第一靶材，采用pvd反应溅射，得到卤素掺杂的n型氧化亚铜薄膜，包括：

8.根据权利要求4所述的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述调整通入的所述卤化氢气体的流量，和/或，溅射持续时长，将所述卤化氢气体和所述第一靶材，采用pvd反应溅射，得到具有梯度的卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋怡瑶，董鑫，李建军，何博，刘童，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：