【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体拉制，尤其涉及一种晶体直径的控制方法、装置以及设备、晶体拉晶生长系统。
技术介绍
1、在光伏行业，直拉法因工艺成熟，可拉出大直径硅棒，故目前大多采用直拉单晶制造法拉制单晶硅棒。拉制的单晶硅棒经过切方、切片等工序后得到硅片，得到的硅片再经过电极印刷、镀膜等工序得到太阳能电池。太阳能电池可以在后续应用到光伏屋顶、光伏系统等，以获得实际需求太阳能。
2、在直拉法拉制单晶晶棒过程中，当晶棒的直径发生偏差时，常规技术一般通过调整瞬时拉速来控制晶棒直径。由于热场温度难以保持稳定，由此导致直径产生波动，而为了控制直径偏差，需要调控瞬时拉速以维持直径稳定，因此，瞬时拉速波动较大，从而会引起溶质的瞬态分凝，造成单晶位错密度增大，最终导致电池性能的下降。在电池片el测试时，硅片会出现完整的同心圆黑区，在黑心区少数载流子寿命明显偏低、转换效率极低，从而影响晶体质量，降低了企业生产效益，因此，急需一种能解决上述技术问题的长晶方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶体直...
【技术保护点】
1.一种晶体直径的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，应用于晶体拉晶生长系统中，所述晶体的生长环境参数包括所述晶体拉晶生长系统中保护气体的流量以及所述晶体拉晶生长系统的炉压中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，所述晶体的直径一致性差异包括：所述晶体的当前直径大于所述晶体的目标直径，且所述晶体的当前直径与所述晶体的目标直径之间的差值大于预设数值；或，所述晶体的当前直径小于所述晶体的目标直径，且所述晶体的目标直径与所述晶体的当前直径之间的差值大于预设数值。<...
【技术特征摘要】
1.一种晶体直径的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，应用于晶体拉晶生长系统中，所述晶体的生长环境参数包括所述晶体拉晶生长系统中保护气体的流量以及所述晶体拉晶生长系统的炉压中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，所述晶体的直径一致性差异包括：所述晶体的当前直径大于所述晶体的目标直径，且所述晶体的当前直径与所述晶体的目标直径之间的差值大于预设数值；或，所述晶体的当前直径小于所述晶体的目标直径，且所述晶体的目标直径与所述晶体的当前直径之间的差值大于预设数值。
4.根据权利要求3所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，当所述晶体的直径一致性差异为：所述晶体的当前直径大于所述晶体的目标直径，且所述晶体的当前直径与所述晶体的目标直径之间的差值大于预设数值时，所述基于所述晶体的直径一致性差异，通过控制所述晶体的生长环境参数，对所述晶体的当前直径进行调整，以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径包括：
5.根据权利要求3所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，当所述晶体的直径一致性差异为：所述晶体的当前直径小于所述晶体的目标直径，且所述晶体的目标直径与所述晶体的当前直径之间的差值大于预设数值时，所述基于所述晶体的直径一致性差异，通过控制所述晶体的生长环境参数，对所述晶体的当前直径进行调整，以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径包括：
6.根据权利要求2所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，所述晶体直径的控制方法还包括：基于所述晶体的直径一致性差异，通过控制所述晶体的生长环境参数以及所述晶体的提拉速度，对所述晶体的当前直径进行调整，以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径。
7.根据权利要求6所述的晶体直径的控制方法，其特征在于，当所述晶体的直径一致性差异为：所述晶体的当前直径大于所述晶体的目标直径，且所述晶体的当前直径与所述晶体的目标直径之间的差值...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵炜，邓浩，谢志宴，王正远，郭力，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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