【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏领域，具体涉及一种光伏组件、标识结构、太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。太阳能电池经过数十年的发展，目前晶硅太阳能电池在光伏电池市场上占据着绝对的优势，主要原因在于原材料来源广泛、高可靠性、高发电效率、低成本等优势。晶硅电池目前涵盖有钝化发射极和背面钝化电池(perc)、背接触电池(ibc)、隧穿氧化层钝化接触电池(topcon)和异质结电池(shj)等多种种类。其中，晶硅-非晶硅异质结太阳能电池(shj)因其对称的结构、高开路电压、低工艺温度、优良的温度特性等优势，已逐步成为晶硅电池主流技术之一，受到产业界和学术界的高度关注，目前其认证的大面积电池器件效率已经达到26.3％。另外topcon电池的效率也达到了25.7％，同样topcon电池也具备成本低的优势。背接触电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背...
【技术保护点】
1.一种标识结构，其中，包括硅基底，所述硅基底的第一表面层叠有第一半导体层，所述第一半导体层包括非晶部分和晶化部分，在所述第一半导体层中，所述非晶部分的体积占比为大于或等于1％，小于等于22％。
2.根据权利要求1所述的标识结构，其中，在所述硅基底与所述第一半导体层之间还层叠有第三隧穿层，在所述第一半导体层背离所述硅基底的一侧表面还层叠有第三钝化层。
3.根据权利要求1所述的标识结构，其中，所述晶体部分包括微晶部分，且晶化部分中微晶部分的体积占比为40％至70％。
4.根据权利要求1所述的标识结构，其中，所述第一半导体层中，所述非晶...
【技术特征摘要】
1.一种标识结构，其中，包括硅基底，所述硅基底的第一表面层叠有第一半导体层，所述第一半导体层包括非晶部分和晶化部分，在所述第一半导体层中，所述非晶部分的体积占比为大于或等于1％，小于等于22％。
2.根据权利要求1所述的标识结构，其中，在所述硅基底与所述第一半导体层之间还层叠有第三隧穿层，在所述第一半导体层背离所述硅基底的一侧表面还层叠有第三钝化层。
3.根据权利要求1所述的标识结构，其中，所述晶体部分包括微晶部分，且晶化部分中微晶部分的体积占比为40％至70％。
4.根据权利要求1所述的标识结构，其中，所述第一半导体层中，所述非晶部分的体积与所述晶化部分的体积的比值为大于或等于10％，优选为大于等于15％，进一步优选为小于或等于45％。
5.根据权利要求1所述的标识结构，其中，所述第一半导体层为含硅的p型半导体层或含硅的n型半导体层，和/或
6.一种标识结构的制备方法，其中，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，在形成半导体前体时，首先在所述硅基底上的部分区域处形成第三隧穿层，然后在所述第三隧穿层背离所述硅基底的一侧表面形成第一半导体前体层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述第一半导体前体层为多晶硅掺杂层，采用所述第一次激光处理所述半导体前体时，所述第一半导体前体层至少在远离所述硅基底一侧的区域转化为非晶硅或微晶硅。
9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其中，制备的所述标识结构为权利要求1-5任一项所述的标识结构。
10.一种太阳能电池，其中，包括权利要求1-5任一项所述的标识结构。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，包括硅基底，所述硅基底的第一表面具有交替分布的第一区域和第二区域，
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，李振国，颜长，刘建鹏，樊云昊，聂玉山，陈玉雷，吴琼，陈瑶，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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