【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，国内晶圆生产线以 8英寸和 12 寸为主。在12英寸晶圆生产研磨过程中，其主要用到的机器为disco 单面研削机（dfg8360）,通过此机台对硅片进行减薄与减小前道加工的损伤层。
2、由于减薄硅片过程中会产生硅屑与砂轮的金刚石颗粒掉落附着加工台面上，清理不及时会使得接触硅屑与金刚石颗粒的硅片表面受到损伤形成一个凹坑影响硅片的平坦度（gbir）其数值越大硅片平坦度越差，使得硅片品质下降，所以防止硅屑、金刚石颗粒在台面上附着，对提升加工后产品品质与良率很重要。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其具有操作便捷、运行稳定性好和效果好的优点。解决了硅片单面研削后出现凹陷的问题。保证异常硅片能够及时检出防止异常硅片的流出，同时有效解决异常出现的原因。
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【技术保护点】
1.一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于：通过机械臂取将每盒内的奇数枚硅片放在1号台面加工，偶数枚硅片放在2号台面加工，接着对每盒硅片进行检测，根据硅片出现问题的奇偶性，判断两个台面中存在异物的。
3.根据权利要求2所述的测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于：有凹陷与无凹陷的硅片，通过GBIR参数的变化情况数据显示横坐标为子批次，纵坐标为硅片参数GBIR的大小单位nm，其数值越大代表硅片平坦...
【技术特征摘要】
1.一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于：通过机械臂取将每盒内的奇数枚硅片放在1号台面加工，偶数枚硅片放在2号台面加工，接着对每盒硅片进行检测，根据硅片出现问题的奇偶性，判断两个台面中存在异物的。
3.根据权利要求2所述的测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于：有凹陷与无凹陷的硅片，通过gbir参数的变化情况数据显示横坐标为子批次，纵坐标为硅片参数gbir的大小单位nm，其数值越大代表硅片平坦度越差，通过硅片平坦度检测出硅片是否存在凹陷。
4.根据权利要求1所述的测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于：硅片和研磨台（1）通过3个刷子清洁后，研磨台（1）由胶辊去杂组件（2）进一步去除硅屑，去除下一片硅片研磨时...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛轶，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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