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本发明涉及一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将装有硅片的片盒放置到上料位置，通过机械臂取硅片放置到加工台面进行研磨。第二步：硅片在台面上研磨后，采用刷子A对硅片进行清洁。第...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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