【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏,尤其涉及一种背接触电池的制造方法。
技术介绍
1、背接触电池指正电极和负电极都处于电池的背光面,其向光面没有金属电极遮挡的太阳能电池。与向光面有遮挡的太阳能电池相比,背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率,是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
2、但是,在现有的背接触电池包括的电池基底的背光面一侧形成导电类型相反的第一电极和第二电极后,容易出现第一电极包括的集电电极段沿第二方向的端部搭接至第二区域和/或第二电极包括的集电电极段沿第二方向的端部搭接至第一区域而导致漏电,不利于提升背接触电池的电学稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池的制造方法,用于在电池基底的背光面上形成导电类型相反的第一电极和第二电极后,防止因第一电极中集电电极段沿第二方向的端部搭接第二区域以及第二电极包括的集电电极段沿第二方向的端部搭接至第一区域而导致漏电,利于提升背接触电池的电学稳定性。
2、为了实现上述目的,本专利技术提供了一种背接触电池
...【技术保护点】
1.一种背接触电池的制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述形成一电池基底包括:
3.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述掺杂半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反。
4.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述采用激光刻蚀工艺,去除所述掺杂半导体层位于所述第一区域上的部分,包括:
5.根据权利要求4所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述激光刻蚀关联参数包括:激光光斑尺寸、相邻激光光斑重叠距离、所述激光光斑图案的边
...【技术特征摘要】
1.一种背接触电池的制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述形成一电池基底包括:
3.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述掺杂半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反。
4.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述采用激光刻蚀工艺,去除所述掺杂半导体层位于所述第一区域上的部分,包括:
5.根据权利要求4所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述激光刻蚀关联参数包括:激光光斑尺寸、相邻激光光斑重叠距离、所述激光光斑图案的边缘与所述第一电极中每个集电电极段的端部沿所述第二方向的设计间距、以及所述激光光斑图案的边缘与所述第一电极包括的汇流电极沿所述第二方向的设计间距;
6.根据权利要求5所述的背接触电池的制造方法,其特征在于,所述激光光斑图案的边缘与所述第一电极中每个集电电极段的端部沿所述第二方向的设计间距大于0、且小于0.4mm;
...【专利技术属性】
技术研发人员:童洪波,李振国,於龙,邓圣杰,靳玉鹏,
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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