【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、i.
2、本公开的领域整体涉及集成电路(ic)中的电源轨，并且具体地涉及标准单元电路的供电电压和接地连接的分配。
3、ii.背景
4、在电子设备中使用的集成电路(ic)不断趋向于大小更小，以将更多的功能装配到更小的体积中，降低功耗并降低成本。集成到单个管芯中的电路可在半导体表面上包括数百万个晶体管。ic中的晶体管被实现为标准单元中的标准单元电路，这些电路在半导体表面上具有均匀布局以提高面积效率。晶体管通过设置在半导体表面上方的金属层中的信号互连件来互连形成期望的电路。相应金属层由过孔层在垂直方向上彼此分离。过孔层中的垂直互连通路(过孔)提供相应金属层中的金属互连件之间的垂直连接。
5、在电源分配网络中，电力在供电电压电源轨上作为供电电压(例如，vdd)并且在接地电压电源轨上以接地电压(例如，vss)提供到标准单元电路。供电电压电源轨和接地电压电源轨形成在金属化层中，该金属化层还包括在标准单元之间输送信号的信号互连件。电源轨延伸超过给定的单元电路并延伸到多个相邻的单元...
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)，包括：
2.根据权利要求1所述的IC，其中：
3.根据权利要求2所述的IC，其中：
4.根据权利要求3所述的IC，其中所述沟槽电源轨在所述第二金属层中在所述第一方向上包括所述第二宽度。
5.根据权利要求3所述的IC，其中所述沟槽电源轨与所述第一沟槽触件直接接触并且由电介质层与所述第二沟槽触件分离。
6.根据权利要求3所述的IC，其中所述沟槽电源轨与所述第一沟槽触件和所述第二沟槽触件直接接触。
7.根据权利要求3所述的IC，其中所述沟槽电源轨由电介质层与所述第一沟槽触件分离...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路(ic)，包括：
2.根据权利要求1所述的ic，其中：
3.根据权利要求2所述的ic，其中：
4.根据权利要求3所述的ic，其中所述沟槽电源轨在所述第二金属层中在所述第一方向上包括所述第二宽度。
5.根据权利要求3所述的ic，其中所述沟槽电源轨与所述第一沟槽触件直接接触并且由电介质层与所述第二沟槽触件分离。
6.根据权利要求3所述的ic，其中所述沟槽电源轨与所述第一沟槽触件和所述第二沟槽触件直接接触。
7.根据权利要求3所述的ic，其中所述沟槽电源轨由电介质层与所述第一沟槽触件分离，并且由所述电介质层与所述第二沟槽触件分离。
8.根据权利要求1所述的ic，其中所述沟槽电源轨包括单片金属层。
9.根据权利要求1所述的ic，其中：
10.一种集成电路(ic)，包括：
11.根据权利要求10所述的ic，所述去耦电容器还包括：
12.根据权利要求10所述的ic，其中所述去耦电容器设置在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间。
13.一种制造集成电路(ic)的方...
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