光伏电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请公开了一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池技术领域；光伏电池包括硅片和钝化层，其特征在于，钝化层在硅片第一表面依次设置有第一隧穿氧化层，第一掺杂多晶硅层，第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；其中，第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层具有相同的掺杂类型，第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度；本申请制备得到的钝化层结构，能够显著提高钝化层的钝化效果，使得太阳能电池转换效率更高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏电池，尤其涉及一种光伏电池极其制备方法、光伏组件。

技术介绍

1、随着太阳能光伏市场的发展，人们对高效的晶体硅电池的需求越来越急迫。而由于光伏技术的不断发展，光伏电池的制造技术成本在不断下降，市场竞争更加激烈，高质量低成本的光伏电池是提高竞争力的主要因素。

2、topcon（tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触）电池是一种新型钝化接触电池，该电池通过在电池硅基底表面镀一层超薄的氧化硅层和掺杂多晶硅来实现钝化作用。ibc（interdigitated back contact，叉指式背接触）电池与topcon电池叠加可形成tbc（tunnel back contact 隧穿氧化层背接触）电池。tbc电池吸收了topcon电池的隧穿氧化层钝化接触技术和ibc电池背面制备呈叉指状间隔排列的p区和n区技术。无论是topcon电池还是tbc电池，如何形成具有更好性能的钝化结构都是当前的研究重点。

3、此外，目前制备钝化层的技术主要有等离子沉积法、磁控溅射沉积法和lpcvd（lowpr本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光伏电池，包括硅片和钝化层，其特征在于，所述钝化层在所述硅片第一表面依次设置有第一隧穿氧化层，第一掺杂多晶硅层，第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；其中，所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层具有相同的掺杂类型，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，当所述掺杂类型为N型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为1-2.5×1020/cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为3-5×1020/cm3；当所述掺杂类型为P型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为2-4×1019/cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为4-5×1019/cm3。</p>

2.如权...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池，包括硅片和钝化层，其特征在于，所述钝化层在所述硅片第一表面依次设置有第一隧穿氧化层，第一掺杂多晶硅层，第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；其中，所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层具有相同的掺杂类型，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，当所述掺杂类型为n型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为1-2.5×1020/cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为3-5×1020/cm3；当所述掺杂类型为p型时，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为2-4×1019/cm3，所述第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度为4-5×1019/cm3。

2.如权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层的厚度小于所述第二掺杂多晶硅层的厚度。

3.如权利要求2所述的光伏电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为10-80nm；和/或，所述第二掺杂多晶硅层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳乐，何亮，李德平，张志勇，武丹萍，费宇，
申请(专利权)人：润马光能科技金华有限公司，
类型：发明
国别省市：