【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米压印，具体为一种纳米压印晶圆良品率检测设备及方法。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，而纳米压印技术是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。
2、公开号为cn216773184u的专利文件公开了一种晶圆边缘检测设备，包括：检测设备机身、边缘检测装置、边缘检测转动装置、晶圆放置盒以及放置盒支撑装置，可将晶圆放置在晶圆放置盒内，晶圆放置盒的上下表面为透明材质，上检测器和下检测器分别位于晶圆放置盒的上方和下方，边缘检测装置的底部固定在边缘检测转动装置上且能够随着边缘检测转动装置的转动绕晶圆放置盒转动，通过上检测器和下检测器对晶圆上下表面的边缘进行检测，整个检测过程中，晶圆在晶圆放置盒内无需移动，避免晶圆需要频繁地被操作移动导致晶圆边缘检测设备本身对晶圆造成细微损伤，可提升晶圆边缘检测过程中的良品率；上述现有技术方案存在以下不足：对晶圆的检测范围存在限制，进行检测时存在检测死角的情况，且容易...
【技术保护点】
1.一种纳米压印晶圆良品率检测设备，包括工作仓（1），其特征在于：所述工作仓（1）的内部顶部固定安装有液压缸（2），所述液压缸（2）的底部固定连接有上模板（3），所述上模板（3）的底部固定安装有软模具（4），所述工作仓（1）的内部底部固定连接有固定座（5）和支撑座（16），所述固定座（5）的顶部设置有电加热板（6），所述电加热板（6）的顶部固定连接有放置板（7），所述放置板（7）的顶部设置有基片（8），所述固定座（5）的内部设置有吸气泵A（9），所述吸气泵A（9）的顶部设置有吸气管A（10），所述工作仓（1）的内部顶部固定连接有固定仓（11），所述固定仓（11）的侧面...
【技术特征摘要】
1.一种纳米压印晶圆良品率检测设备，包括工作仓（1），其特征在于：所述工作仓（1）的内部顶部固定安装有液压缸（2），所述液压缸（2）的底部固定连接有上模板（3），所述上模板（3）的底部固定安装有软模具（4），所述工作仓（1）的内部底部固定连接有固定座（5）和支撑座（16），所述固定座（5）的顶部设置有电加热板（6），所述电加热板（6）的顶部固定连接有放置板（7），所述放置板（7）的顶部设置有基片（8），所述固定座（5）的内部设置有吸气泵a（9），所述吸气泵a（9）的顶部设置有吸气管a（10），所述工作仓（1）的内部顶部固定连接有固定仓（11），所述固定仓（11）的侧面固定安装有电机a（12），所述固定仓（11）的内部转动连接有螺纹杆（13），所述电机a（12）通过其输出轴与螺纹杆（13）固定连接，所述固定仓（11）的内部滑动连接有移动块（14），所述移动块（14）通过内置螺纹与螺纹杆（13）螺纹连接，所述移动块（14）的底部设置有检测探头（15），所述支撑座（16）的内部设置有角度变换机构（17），所述工作仓（1）的内部底部设置有吸附运输机构（18），所述工作仓（1）的内部后端设置有吹风机构（19）；
2.根据权利要求1所述的一种纳米压印晶圆良品率检测设备，其特征在于：所述压板（176）位于挤压板（1713）的位移轨迹上，所述复位弹簧（177）的两端初始状态下与压板（176）以及液压仓（174）相抵触。
3.根据权利要求2所述的一种纳米压印晶圆良品率检测设备，其特征在于：所述弧形齿牙（1712）的弧面朝向后端，且所述凹槽（1710）的深度大于弧形齿牙（1712）的长度。
4.根据权利要求3所述的一种纳米压印晶圆良品率检测设备，其特征在于：所述吸附运输机构（18）包括支撑柱（181）和腔体（1811），所述支撑柱（181）的顶部固定安装有电机b（182），所述电机b（182）的输出端固定安装有电动推杆（184），所述电动推杆（184）的输出端固定连接有吸附板（185），所述电动推杆（184）的输出端底部固定连接有接触板（1810），所述吸附板（185）的内部开设有吸附腔（186），所述吸附板（185）的顶部设置有吸气泵b（187），所述吸气泵b（187）的侧面设置有吸气管b（188），所述腔体（1811）开设于放置板（7）的内部，所述腔体（1811）的内部设置有连通组件（189）。
5.根据权利要求4所述的一种纳米压印晶圆良品率检测设备，其特征在于：所述腔体（1811）的顶部与吸附腔（186）的底部均开设有吸附孔（...
【专利技术属性】
技术研发人员：冀然，孙俊杰，姜涛，
申请(专利权)人：青岛天仁微纳科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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