【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件结构。
技术介绍
1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
2、半导体器件通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
3、然而，在现有的半导体器件中，由于金属电极和底部半导体层接触时，金属电极在角落位置的电势差大，在后续的制备过程中容易产生接触不良，增加电阻，影响欧姆接触性能。
技术实现思路
1、本技术提供一种半导体器件结构，用以解决现有技术中金属电极在角落位置的电势差大，容易击穿，影响了半导体器件的欧姆接触性能。
2、本技术提供一种半导体器件结构，包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，安置于第一氮化物半导体层上；第一介质半导体层，安置于第二氮化物半导体层上；其中，第二氮化物半导体层和第一介质半导体层设置有容置电极的凹槽；第二氮化物半导...
【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽的最大深度大于所述第一介质半导体层的厚度；所述凹槽的最大深度小于所述第一介质半导体层的厚度和所述第二氮化物半导体层的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二氮化物半导体层的凹槽边缘包括第一阶梯边缘和第二阶梯边缘；所述第一阶梯边缘和所述第二阶梯边缘为对称设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽沿所述第一氮化物半导体层方向的宽度变小。
5.根据权利要求1所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽的最大深度大于所述第一介质半导体层的厚度；所述凹槽的最大深度小于所述第一介质半导体层的厚度和所述第二氮化物半导体层的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二氮化物半导体层的凹槽边缘包括第一阶梯边缘和第二阶梯边缘；所述第一阶梯边缘和所述第二阶梯边缘为对称设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽沿所述第一氮化物半导体层方向的宽度变小。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二氮化物半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：张啸，欧阳爵，张礼杰，周建军，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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