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本技术涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件结构。半导体器件结构包括：第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和第一介质半导体层；第二氮化物半导体层安置于第一氮化物半导体层上；第一介质半导体层安置于第二氮化物半导体层上；其中，第二氮化物半导体...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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