【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，尤其涉及一种基于忆阻器件的感存算一体单元、阵列以及信息处理方法。
技术介绍
1、传统的互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)有源像素传感单元通常由多个晶体管结合多个光电器件组成，单个像素单元具有较大的面积，不便于实现更高密度的集成。
技术实现思路
1、本公开提供了一种基于忆阻器件的感存算一体单元、阵列以及信息处理方法。
2、本公开的一个方面提供了一种基于忆阻器件的感存算一体单元，包括：光电忆阻晶体管，用于在入射光的控制下产生光电导，将入射光转换为电信号；编码晶体管，编码晶体管的控制极与光电忆阻晶体管的源极相连接，编码晶体管用于在光电忆阻晶体管源极输出的电信号的控制下，从编码晶体管的漏极输出电流信号，电流信号用于实现神经形态计算；其中，光电忆阻晶体管和编码晶体管均为铁电背栅场效应晶体管。
3、根据本公开的实施例，光电忆阻晶体管和编码晶体管均包括沿垂直方向依次设置的衬底层、背栅...
【技术保护点】
1.一种基于忆阻器件的感存算一体单元，其中，所述单元包括：
2.根据权利要求1所述的单元，其中，所述光电忆阻晶体管和所述编码晶体管均包括沿垂直方向依次设置的衬底层、背栅电极层、铁电层、匹配层、沟道层、源漏电极层。
3.根据权利要求2所述的单元，其中，所述衬底层的材料为绝缘材料，所述铁电层的材料选自掺杂硅、锆、钇、铝、镧的氧化铪、锆钛酸铅、二元聚氟乙烯和硒化铟二维铁电薄膜，所述沟道层的材料选自二维原子材料、铟镓锌氧化物、石墨烯和碳纳米管，所述二维原子材料包括二硫化钼、二硫化钨、硒化钨、硒化铟。
4.根据权利要求1所述的单元，其中，还包
5...
【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器件的感存算一体单元，其中，所述单元包括：
2.根据权利要求1所述的单元，其中，所述光电忆阻晶体管和所述编码晶体管均包括沿垂直方向依次设置的衬底层、背栅电极层、铁电层、匹配层、沟道层、源漏电极层。
3.根据权利要求2所述的单元，其中，所述衬底层的材料为绝缘材料，所述铁电层的材料选自掺杂硅、锆、钇、铝、镧的氧化铪、锆钛酸铅、二元聚氟乙烯和硒化铟二维铁电薄膜，所述沟道层的材料选自二维原子材料、铟镓锌氧化物、石墨烯和碳纳米管，所述二维原子材料包括二硫化钼、二硫化钨、硒化钨、硒化铟。
4.根据权利要求1所述的单元，其中，还包括：
5.根据权利要求1所述的单元，其中，还包括：
6.根据权利要求4或5所述的单元，其中，所述光电忆阻晶体管的漏极在第一节点处与第一电源电连接，所述光电忆阻晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：巨晨伟，赵妙，游涛，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。