一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件制造技术

本技术提供一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件包括：衬底、外延层、栅极、辅助耗尽区、电流阻挡层及掺杂接触层；外延层、电流阻挡层和掺杂接触层依次叠加设于衬底上；外延层、电流阻挡层和掺杂接触层的中部设有凹槽，辅助耗尽区设于凹槽的底部、且位于外延层的上表面；栅极设于凹槽的内壁侧和辅助耗尽区的上侧。该具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件通过在栅结构下方引入辅助耗尽区，利用辅助耗尽区与漏极电压在N型轻掺杂漂移形成的扩展耗尽区作为耐压结构耐受器件关态电压，通过这种方式，将原本降落在电流阻挡层中的电压转移在耗尽区中，改善了器件击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体涉及一种具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件。

技术介绍

1、在功率开关应用中，巴利伽优值bfom(baliga’s figure-of-merit)是表示半导体材料电力电子方面的适用程度的指标，其公式为：bfom＝εμec3，其中ε是介电常数，μ是迁移率，ec是半导体的临界击穿场强，bfom值上与ec的三次方成正相关。而对于半导体材料，更高的禁带宽度可实现更高的临界击穿场强。因此，较大的禁带宽度意味着宽禁带半导体在功率器件的应用中具有更低的功率损耗和更高的转换效率，从而实现更加优秀和理想的电力电子应用。

2、在宽禁带半导体材料中，β-ga2o3具有4.8ev的禁带宽度、8mv/cm的临界击穿电场强度和高达3400的bfom值，大约是gan的4倍，sic的10倍。因此在如今具有更高功率密度以及更低功耗需求的电力电子应用中，β-ga2o3材料具有更为重大的研究意义以及更为广阔的市场应用前景。

3、与n型掺杂的容易程度相反，目前还没有在β-ga2o3中成功实现p型掺杂的报导，这使得ga2o3相较于可进行双极型掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件，其特征在于，包括：衬底、外延层、栅极、辅助耗尽区、电流阻挡层及掺杂接触层；

2.根据权利要求1所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅介质层和栅金属层；

3.根据权利要求1所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件，其特征在于，所述辅助耗尽区的材料为P型介质材料或肖特基金属。

4.根据权利要求3所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓MISFET器件，其特征在于，所述辅助耗尽区背离所述栅极的一侧设有包角终端。

5.根据权利要求3或4所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓M...

【技术特征摘要】

1.一种具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件，其特征在于，包括：衬底、外延层、栅极、辅助耗尽区、电流阻挡层及掺杂接触层；

2.根据权利要求1所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件，其特征在于，所述栅极包括栅介质层和栅金属层；

3.根据权利要求1所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件，其特征在于，所述辅助耗尽区的材料为p型介质材料或肖特基金属。

4.根据权利要求3所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件，其特征在于，所述辅助耗尽区背离所述栅极的一侧设有包角终端。

5.根据权利要求3或4所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓misfet器件，其特征在于，所述辅助耗尽区的底部设有沟槽场板。

6.根据权利要求2所述的具有辅助耗尽结构的氧化镓misfe...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱厉阳，李明哲，徐少东，彭若诗，袁俊，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：新型
国别省市：