【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种具有着陆焊盘结构的半导体器件。
技术介绍
1、随着对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能性的需求增加，半导体器件的集成度不断提高。在制造具有与半导体器件的提高了的集成度的趋势相对应的精细图案的半导体器件时，期望实现具有精细宽度或精细分隔距离的图案。
技术实现思路
1、根据实施例的一方面，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述衬底中、与所述有源区交叉、并在第一水平方向上延伸；位线结构，所述位线结构与所述栅极结构交叉并在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；接触插塞，所述接触插塞设置在所述位线结构之间；着陆焊盘结构，所述着陆焊盘结构设置在所述接触插塞上并且包括下着陆焊盘和位于所述下着陆焊盘上的上着陆焊盘，其中所述下着陆焊盘包括阻挡层和位于所述阻挡层上的金属层；以及绝缘图案，所述绝缘图案设置在所述下着陆焊盘上并接触所述上着陆焊盘的侧表面。所述上着陆焊盘一体地耦接到所述金属层。所述绝缘图案的侧表面包括朝向所述位线结构当中的邻近位线结构的
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层包括与所述上着陆焊盘的材料相同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的下表面与所述金属层的上表面和所述阻挡层的上端直接接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的下表面包括接触所述下着陆焊盘的上表面并且平行于所述衬底的下表面的平坦表面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的侧表面还包括朝向所述上着陆焊盘的凹形弯曲表面。
6.根据权利要求1所述的半导体器...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层包括与所述上着陆焊盘的材料相同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的下表面与所述金属层的上表面和所述阻挡层的上端直接接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的下表面包括接触所述下着陆焊盘的上表面并且平行于所述衬底的下表面的平坦表面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘图案的侧表面还包括朝向所述上着陆焊盘的凹形弯曲表面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下着陆焊盘的上表面包括接触所述绝缘图案并且平行于所述衬底的下表面的平坦表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的上端位于比所述位线结构的上端低的水平高度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上着陆焊盘的下端位于比所述下着陆焊盘的上表面和所述绝缘图案的下表面低的水平高度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述接触插塞与所述下着陆焊盘之间的金属半导体化合物层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
12.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔秦瑞，李昭享，陈姃玟，崔玿熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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