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一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底中、与所述有源区交叉，并在第一水平方向上延伸；位线结构，所述位线结构与所述栅极结构交叉并在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；接触插塞，所述接触插塞位于...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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